选择性沉积高导电性金属膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380024537.9

申请日：

2023-01-27

公开(公告)号：

CN118786240A

公开(公告)日：

2024-10-15

发明(设计)人：

P·S·H·陈 B·C·亨德里克斯 T·M·卡梅龙

申请人：

恩特格里斯公司

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

C23C16/06

IPC分类号：

C23C16/04 C23C16/52 C23C16/455 C23C16/515

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

李婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/06申请日:20230127
2024-10-15	公开	公开

共 50 条

[1]

金属膜的高选择性沉积方法 [P].

R·坎乔利亚 ;

M·蒙普尔 ;

J·伍德拉夫 ;

S·沃尔夫 ;

M·布里登 ;

S·T·乌达 ;

A·库梅尔 ;

A·阿努拉格 .

中国专利 :CN113166930A ,2021-07-23

[2]

金属膜的高选择性沉积方法 [P].

R·坎乔利亚 ;

M·蒙普尔 ;

J·伍德拉夫 ;

S·沃尔夫 ;

M·布里登 ;

S·T·乌达 ;

A·库梅尔 ;

A·阿努拉格 .

德国专利 :CN113166930B ,2024-07-12

[3]

金属膜的选择性沉积 [P].

尚陈 ;

俊晴渡会 ;

隆大小沼 ;

大石川 ;

邦年难波 .

中国专利 :CN109087885B ,2018-12-25

[4]

含金属膜的区域选择性沉积 [P].

让-马克·吉拉尔 ;

卢沅泰 ;

李柱昊 .

法国专利 :CN115176332B ,2025-08-01

[5]

选择性形成含金属膜的方法 [P].

乔比·艾尔多 ;

雅各布·伍德拉夫 ;

肖恩·圣恩·洪（曾用名：洪圣恩） ;

拉文德拉·坎乔利亚 ;

查里斯·纳纳亚卡拉 ;

查尔斯·德泽拉 .

中国专利 :CN115003853A ,2022-09-02

[6]

选择性形成含金属膜的方法 [P].

乔比·艾尔多 ;

雅各布·伍德拉夫 ;

肖恩·圣恩·洪（曾用名：洪圣恩） ;

拉文德拉·坎乔利亚 ;

查里斯·纳纳亚卡拉 ;

查尔斯·德泽拉 .

德国专利 :CN115003853B ,2025-03-07

[7]

导电性金属糊用金属微粒子以及导电性金属糊和金属膜 [P].

石川大 ;

阿部富也 .

中国专利 :CN102214495A ,2011-10-12

[8]

金属微粒子、导电性金属糊以及金属膜 [P].

石川大 ;

阿部富也 .

中国专利 :CN102254588A ,2011-11-23

[9]

金属-有机骨架的选择性沉积 [P].

M·克里斯塔布 ;

S·阿米尼 ;

I·斯塔森 ;

R·阿姆洛特 .

中国专利 :CN109950129A ,2019-06-28

[10]

通过选择性沉积的硅化物膜 [P].

S·斯里尼瓦桑 ;

A·玛里克 ;

N·布赖尔 .

美国专利 :CN117832071A ,2024-04-05

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