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含金属膜的区域选择性沉积

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202080097071.1
申请日：
2020-12-18
公开(公告)号：
CN115176332B
公开(公告)日：
2025-08-01
发明(设计)人：
让-马克·吉拉尔 卢沅泰 李柱昊
申请人：
乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请人地址：
法国巴黎
IPC主分类号：
H01L21/205
IPC分类号：
H01L21/316
代理机构：
北京市中咨律师事务所 11247
代理人：
李颖;林柏楠
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-08-01 授权 授权
共 50 条
[1]
金属膜的选择性沉积 [P]. 
尚陈 ;
俊晴渡会 ;
隆大小沼 ;
大石川 ;
邦年难波 .
中国专利 :CN109087885B ,2018-12-25
[2]
金属膜的高选择性沉积方法 [P]. 
R·坎乔利亚 ;
M·蒙普尔 ;
J·伍德拉夫 ;
S·沃尔夫 ;
M·布里登 ;
S·T·乌达 ;
A·库梅尔 ;
A·阿努拉格 .
中国专利 :CN113166930A ,2021-07-23
[3]
金属膜的高选择性沉积方法 [P]. 
R·坎乔利亚 ;
M·蒙普尔 ;
J·伍德拉夫 ;
S·沃尔夫 ;
M·布里登 ;
S·T·乌达 ;
A·库梅尔 ;
A·阿努拉格 .
德国专利 :CN113166930B ,2024-07-12
[4]
选择性沉积高导电性金属膜的方法 [P]. 
P·S·H·陈 ;
B·C·亨德里克斯 ;
T·M·卡梅龙 .
美国专利 :CN118786240A ,2024-10-15
[5]
选择性形成含金属膜的方法 [P]. 
乔比·艾尔多 ;
雅各布·伍德拉夫 ;
肖恩·圣恩·洪（曾用名：洪圣恩） ;
拉文德拉·坎乔利亚 ;
查里斯·纳纳亚卡拉 ;
查尔斯·德泽拉 .
中国专利 :CN115003853A ,2022-09-02
[6]
选择性形成含金属膜的方法 [P]. 
乔比·艾尔多 ;
雅各布·伍德拉夫 ;
肖恩·圣恩·洪（曾用名：洪圣恩） ;
拉文德拉·坎乔利亚 ;
查里斯·纳纳亚卡拉 ;
查尔斯·德泽拉 .
德国专利 :CN115003853B ,2025-03-07
[7]
含金属膜的沉积 [P]. 
大卫·约瑟夫·曼迪亚 ;
道格拉斯·沃尔特·阿格纽 ;
乔尔·大卫·史密斯 ;
马修·伯特伦·爱德华·格里菲思 ;
纳撒尼尔·埃尔巴·里奇 ;
亚历山大·雷·福克斯 ;
基莱·乔丹·布莱克内 ;
丹尼斯·M·豪斯曼 ;
罗郑硕 ;
照健·史蒂文·黎 ;
希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴保蒂 .
美国专利 :CN120344714A ,2025-07-18
[8]
利用卤化物在含硅表面上金属膜的区域选择性沉积 [P]. 
刘柏君 ;
王廷敏 ;
程岚霞 ;
李彰原 .
美国专利 :CN121175447A ,2025-12-19
[9]
区域选择性沉积 [P]. 
J·黄 ;
K·K·卡谢尔 .
:CN120866812A ,2025-10-31
[10]
改进的区域选择性沉积 [P]. 
S·M·吉尔莫特瓦克 ;
K·卡谢尔 .
:CN120184089A ,2025-06-20
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