利用卤化物在含硅表面上金属膜的区域选择性沉积

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480032314.1

申请日：

2024-04-11

公开(公告)号：

CN121175447A

公开(公告)日：

2025-12-19

发明(设计)人：

刘柏君王廷敏程岚霞李彰原

申请人：

弗萨姆材料美国有限责任公司

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

C23C16/04

IPC分类号：

C23C16/455 C23C16/08 C23C16/02

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

吴亦华;徐志明

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-19	公开	公开

共 31 条

[1]

在含硅表面上的选择性沉积 [P].

R·M·皮尔斯坦 .

中国专利 :CN112602169A ,2021-04-02

[2]

在含硅表面上的选择性沉积 [P].

R·M·皮尔斯坦 .

美国专利 :CN112602169B ,2025-09-05

[3]

在含硅表面上的选择性沉积 [P].

M·A·托德 .

中国专利 :CN110612364B ,2019-12-24

[4]

含金属膜的区域选择性沉积 [P].

让-马克·吉拉尔 ;

卢沅泰 ;

李柱昊 .

法国专利 :CN115176332B ,2025-08-01

[5]

金属膜的选择性沉积 [P].

尚陈 ;

俊晴渡会 ;

隆大小沼 ;

大石川 ;

邦年难波 .

中国专利 :CN109087885B ,2018-12-25

[6]

在水平表面上的选择性沉积SiN [P].

巴特·J·范施拉芬迪克 ;

阿维尼什·古普塔 ;

帕特里克·A·范克利蒙布特 ;

詹森·大进·帕克 .

美国专利 :CN110998790B ,2024-07-09

[7]

在水平表面上的选择性沉积SiN [P].

巴特·J·范施拉芬迪克 ;

阿维尼什·古普塔 ;

帕特里克·A·范克利蒙布特 ;

詹森·大进·帕克 .

中国专利 :CN110998790A ,2020-04-10

[8]

金属膜的高选择性沉积方法 [P].

R·坎乔利亚 ;

M·蒙普尔 ;

J·伍德拉夫 ;

S·沃尔夫 ;

M·布里登 ;

S·T·乌达 ;

A·库梅尔 ;

A·阿努拉格 .

中国专利 :CN113166930A ,2021-07-23

[9]

金属膜的高选择性沉积方法 [P].

R·坎乔利亚 ;

M·蒙普尔 ;

J·伍德拉夫 ;

S·沃尔夫 ;

M·布里登 ;

S·T·乌达 ;

A·库梅尔 ;

A·阿努拉格 .

德国专利 :CN113166930B ,2024-07-12

[10]

透过表面硅化的区域选择性沉积 [P].

王新科 ;

沈泽清 ;

苏米特·辛格·罗伊 ;

阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 ;

巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ;

唐杰丛 ;

约翰·苏迪约诺 ;

刘龙 .

美国专利 :CN120112674A ,2025-06-06

← 1 2 3 4 →