在水平表面上的选择性沉积SiN

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880050853.2

申请日：

2018-08-01

公开(公告)号：

CN110998790A

公开(公告)日：

2020-04-10

发明(设计)人：

巴特·J·范施拉芬迪克阿维尼什·古普塔帕特里克·A·范克利蒙布特詹森·大进·帕克

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2711524 H01L213213 H01L21027

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

樊英如;邱晓敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180801
2020-04-10	公开	公开

共 50 条

[1]

在水平表面上的选择性沉积SiN [P].

巴特·J·范施拉芬迪克 ;

阿维尼什·古普塔 ;

帕特里克·A·范克利蒙布特 ;

詹森·大进·帕克 .

美国专利 :CN110998790B ,2024-07-09

[2]

在含硅表面上的选择性沉积 [P].

R·M·皮尔斯坦 .

中国专利 :CN112602169A ,2021-04-02

[3]

在含硅表面上的选择性沉积 [P].

R·M·皮尔斯坦 .

美国专利 :CN112602169B ,2025-09-05

[4]

氧化硅在金属表面上的选择性沉积 [P].

A.伊利贝里 ;

G.A.弗尼 ;

邓少任 ;

D.恰佩 ;

E.托伊斯 ;

M.托米宁 ;

M.吉文斯 .

中国专利 :CN113463067A ,2021-10-01

[5]

氧化硅在金属表面上的选择性沉积 [P].

A·伊利贝里 ;

G·A·弗尼 ;

邓少任 ;

D·恰佩 ;

E·托伊斯 ;

M·托米宁 ;

M·吉文斯 .

:CN120400796A ,2025-08-01

[6]

氧化硅在金属表面上的选择性沉积 [P].

A.伊利贝里 ;

G.A.弗尼 ;

邓少任 ;

D.恰佩 ;

E.托伊斯 ;

M.托米宁 ;

M.吉文斯 .

:CN113463067B ,2025-05-23

[7]

金属氧化物在金属表面上的选择性沉积 [P].

A·伊利贝里 ;

M·吉文斯 ;

S·邓 ;

G·A·维尼 .

中国专利 :CN111816547A ,2020-10-23

[8]

金属氧化物在金属表面上的选择性沉积 [P].

A·伊利贝里 ;

M·吉文斯 ;

S·邓 ;

G·A·维尼 .

:CN111816547B ,2025-12-16

[9]

在半导体基板的顶表面和底表面上的选择性碳沉积 [P].

A·S·巴加尔 ;

符谦 ;

K-T·刘 ;

C·刘 .

美国专利 :CN117581332A ,2024-02-20

[10]

在衬底的介电表面上选择性沉积金属氧化物 [P].

诺普尔·比哈里 ;

樊芸杉 ;

凯文·麦克劳克林 .

美国专利 :CN121002650A ,2025-11-21

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