在含硅表面上的选择性沉积

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980056149.2

申请日：

2019-08-23

公开(公告)号：

CN112602169B

公开(公告)日：

2025-09-05

发明(设计)人：

R·M·皮尔斯坦

申请人：

弗萨姆材料美国有限责任公司

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

吴亦华;徐志明

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-05	授权	授权

共 50 条

[1]

在含硅表面上的选择性沉积 [P].

R·M·皮尔斯坦 .

中国专利 :CN112602169A ,2021-04-02

[2]

在含硅表面上的选择性沉积 [P].

M·A·托德 .

中国专利 :CN110612364B ,2019-12-24

[3]

在水平表面上的选择性沉积SiN [P].

巴特·J·范施拉芬迪克 ;

阿维尼什·古普塔 ;

帕特里克·A·范克利蒙布特 ;

詹森·大进·帕克 .

美国专利 :CN110998790B ,2024-07-09

[4]

在水平表面上的选择性沉积SiN [P].

巴特·J·范施拉芬迪克 ;

阿维尼什·古普塔 ;

帕特里克·A·范克利蒙布特 ;

詹森·大进·帕克 .

中国专利 :CN110998790A ,2020-04-10

[5]

利用卤化物在含硅表面上金属膜的区域选择性沉积 [P].

刘柏君 ;

王廷敏 ;

程岚霞 ;

李彰原 .

美国专利 :CN121175447A ,2025-12-19

[6]

于裸露硅表面而非氧化物表面上的聚合物薄膜的选择性沉积 [P].

大平·姚 .

中国专利 :CN103620740B ,2014-03-05

[7]

在氧化硅存在下硅表面上氧化硅或氮化硅的选择性生长 [P].

大卫·查尔斯·史密斯 ;

丹尼斯·M·豪斯曼 .

中国专利 :CN110402477A ,2019-11-01

[8]

氧化硅的选择性沉积 [P].

大卫·查尔斯·史密斯 ;

丹尼斯·M·豪斯曼 .

中国专利 :CN108425100B ,2018-08-21

[9]

用于在沟槽侧壁或平整表面上选择性形成氮化硅膜的方法 [P].

石川大 ;

深泽笃毅 .

:CN107104036B ,2024-03-29

[10]

用于在沟槽侧壁或平整表面上选择性形成氮化硅膜的方法 [P].

石川大 ;

深泽笃毅 .

中国专利 :CN107104036A ,2017-08-29

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