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用于在沟槽侧壁或平整表面上选择性形成氮化硅膜的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201710086406.X
申请日：
2017-02-17
公开(公告)号：
CN107104036B
公开(公告)日：
2024-03-29
发明(设计)人：
石川大 深泽笃毅
申请人：
ASMIP控股有限公司
申请人地址：
荷兰阿尔梅勒
IPC主分类号：
H01L21/02
IPC分类号：
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
王冉
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-03-29 授权 授权
共 50 条
[1]
用于在沟槽侧壁或平整表面上选择性形成氮化硅膜的方法 [P]. 
石川大 ;
深泽笃毅 .
中国专利 :CN107104036A ,2017-08-29
[2]
用于在沟槽的侧壁或平坦表面上选择性地形成氮化硅膜的方法 [P]. 
石川大 ;
深泽笃毅 ;
芝英一郎 ;
上田真也 ;
胡谷大志 ;
S·全 ;
Y·刘 ;
Y·闵 ;
S·金 ;
J·崔 .
中国专利 :CN108878258A ,2018-11-23
[3]
用于在沟槽的侧壁或平坦表面上选择性地形成氮化硅膜的方法 [P]. 
石川大 ;
深泽笃毅 ;
芝英一郎 ;
上田真也 ;
胡谷大志 ;
S·全 ;
Y·刘 ;
Y·闵 ;
S·金 ;
J·崔 .
:CN120048738A ,2025-05-27
[4]
在沟槽侧壁上选择性地形成氮化硅膜的方法 [P]. 
坂智美 ;
A·努尔希达亚蒂 ;
L·C·黄 .
:CN119400698A ,2025-02-07
[5]
在氧化硅存在下硅表面上氧化硅或氮化硅的选择性生长 [P]. 
大卫·查尔斯·史密斯 ;
丹尼斯·M·豪斯曼 .
中国专利 :CN110402477A ,2019-11-01
[6]
选择性蚀刻氮化硅的方法 [P]. 
杨玮盈 ;
高德丰 ;
约翰·苏迪约诺 ;
米哈伊尔·科里奥克 ;
保罗·E·吉 ;
蔡泰正 ;
菲利普·A·克劳斯 .
美国专利 :CN120981898A ,2025-11-18
[7]
在水平表面上的选择性沉积SiN [P]. 
巴特·J·范施拉芬迪克 ;
阿维尼什·古普塔 ;
帕特里克·A·范克利蒙布特 ;
詹森·大进·帕克 .
美国专利 :CN110998790B ,2024-07-09
[8]
在水平表面上的选择性沉积SiN [P]. 
巴特·J·范施拉芬迪克 ;
阿维尼什·古普塔 ;
帕特里克·A·范克利蒙布特 ;
詹森·大进·帕克 .
中国专利 :CN110998790A ,2020-04-10
[9]
通过选择性氮化硼或氮化铝沉积的高度选择性氧化硅/氮化硅蚀刻 [P]. 
蔡宇浩 ;
张度 ;
王明美 .
中国专利 :CN113785383A ,2021-12-10
[10]
通过选择性氮化硼或氮化铝沉积的高度选择性氧化硅/氮化硅蚀刻 [P]. 
蔡宇浩 ;
张度 ;
王明美 .
日本专利 :CN113785383B ,2025-11-11
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