一种氧化物半导体薄膜及其制备工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710250474.5

申请日：

2017-04-17

公开(公告)号：

CN106927689A

公开(公告)日：

2017-07-07

发明(设计)人：

兰林锋王磊彭俊彪

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

C03C1723

IPC分类号：

H01L29786

代理机构：

北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350

代理人：

赵蕊红

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C03C 17/23 申请公布日:20170707
2017-07-07	公开	公开
2017-08-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101738378866 IPC(主分类):C03C 17/23 专利申请号:2017102504745 申请日:20170417

共 50 条

[1]

氧化物半导体薄膜、氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107527946A ,2017-12-29

[2]

氧化物半导体薄膜及一种薄膜晶体管 [P].

兰林锋 ;

彭俊彪 ;

林振国 .

中国专利 :CN103325842A ,2013-09-25

[3]

氧化物半导体薄膜 [P].

大竹文人 ;

小林大士 ;

上野充 ;

和田优 ;

松本浩一 .

中国专利 :CN111373514A ,2020-07-03

[4]

一种氧化物半导体薄膜的制备方法 [P].

刘欢 ;

黄永安 ;

黄奕夫 ;

张伟卓 ;

刘竞尧 .

中国专利 :CN107393810A ,2017-11-24

[5]

一种氧化物半导体薄膜及其低温溶液制备方法 [P].

兰林锋 ;

李育智 ;

彭俊彪 .

中国专利 :CN105742342A ,2016-07-06

[6]

氧化物半导体薄膜及其制备方法、薄膜晶体管的制备方法 [P].

李敏敏 .

中国专利 :CN111180309A ,2020-05-19

[7]

氧化物半导体薄膜检测装置及氧化物半导体薄膜检测方法 [P].

朴瑨哲 ;

文相渊 .

中国专利 :CN111141784B ,2020-05-12

[8]

氧化物半导体薄膜形成用溅射靶及其制造方法、氧化物半导体薄膜、薄膜半导体装置及其制造方法 [P].

谷野健太 ;

半那拓 ;

竹内将人 ;

手冢尚人 .

日本专利 :CN119866389A ,2025-04-22

[9]

氧化物半导体薄膜形成用溅射靶及其制造方法、氧化物半导体薄膜、薄膜半导体装置及其制造方法 [P].

谷野健太 ;

半那拓 ;

竹内将人 ;

手冢尚人 .

日本专利 :CN119948198A ,2025-05-06

[10]

半导体器件和氧化物半导体薄膜 [P].

李光熙 ;

朴镇成 ;

金尚昱 ;

车映官 ;

柳盛还 ;

金慧美 .

韩国专利 :CN120076378A ,2025-05-30

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