一种氧化物半导体薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710570025.9

申请日：

2017-07-13

公开(公告)号：

CN107393810A

公开(公告)日：

2017-11-24

发明(设计)人：

刘欢黄永安黄奕夫张伟卓刘竞尧

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

王世芳;李智

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-24	公开	公开
2019-06-18	授权	授权
2017-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20170713

共 50 条

[1]

氧化物半导体薄膜 [P].

大竹文人 ;

小林大士 ;

上野充 ;

和田优 ;

松本浩一 .

中国专利 :CN111373514A ,2020-07-03

[2]

一种氧化物半导体薄膜及其制备工艺 [P].

兰林锋 ;

王磊 ;

彭俊彪 .

中国专利 :CN106927689A ,2017-07-07

[3]

氧化物半导体薄膜检测装置及氧化物半导体薄膜检测方法 [P].

朴瑨哲 ;

文相渊 .

中国专利 :CN111141784B ,2020-05-12

[4]

氧化物半导体薄膜、氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107527946A ,2017-12-29

[5]

半导体器件和氧化物半导体薄膜 [P].

李光熙 ;

朴镇成 ;

金尚昱 ;

车映官 ;

柳盛还 ;

金慧美 .

韩国专利 :CN120076378A ,2025-05-30

[6]

氧化物半导体薄膜的评价方法及氧化物半导体薄膜的质量管理方法 [P].

钉宫敏洋 ;

安野聪 ;

森田晋也 ;

前田刚彰 ;

三木绫 .

中国专利 :CN102313849B ,2012-01-11

[7]

氧化物半导体薄膜形成用溅射靶及其制造方法、氧化物半导体薄膜、薄膜半导体装置及其制造方法 [P].

谷野健太 ;

半那拓 ;

竹内将人 ;

手冢尚人 .

日本专利 :CN119866389A ,2025-04-22

[8]

氧化物半导体薄膜形成用溅射靶及其制造方法、氧化物半导体薄膜、薄膜半导体装置及其制造方法 [P].

谷野健太 ;

半那拓 ;

竹内将人 ;

手冢尚人 .

日本专利 :CN119948198A ,2025-05-06

[9]

晶体氧化物半导体薄膜、晶体氧化物半导体薄膜的制造方法以及薄膜晶体管 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

霍间勇辉 ;

笘井重和 ;

江端一晃 .

中国专利 :CN107924822A ,2018-04-17

[10]

氧化物半导体薄膜的评价装置 [P].

林和志 ;

岸智弥 .

中国专利 :CN105518843A ,2016-04-20

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