包含去耦电容器的微电子装置,以及相关设备、电子系统和方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110439989.6
申请日
2021-04-23
公开(公告)号
CN113690240A
公开(公告)日
2021-11-23
发明(设计)人
王钊文
申请人
申请人地址
美国爱达荷州
IPC主分类号
H01L27108
IPC分类号
H01L218242
代理机构
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
王艳娇
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
包含去耦电容器的微电子装置,以及相关设备、电子系统和方法 [P]. 
王钊文 .
美国专利 :CN113690240B ,2025-09-02
[2]
包含电容器的半导体装置、相关电子系统以及相关方法 [P]. 
E·H·福瑞曼 .
中国专利 :CN109427801A ,2019-03-05
[3]
包含阶梯结构的微电子装置以及相关电子系统及方法 [P]. 
H·N·贾殷 .
中国专利 :CN114121984A ,2022-03-01
[4]
包括电容器结构的微电子装置及相关电子系统及方法 [P]. 
F·A·席赛克·艾吉 ;
何源 .
美国专利 :CN118077325A ,2024-05-24
[5]
包含电容器的设备以及电子系统 [P]. 
W·M·布鲁尔 ;
C·洛克 ;
K·B·坎贝尔 .
美国专利 :CN117979691A ,2024-05-03
[6]
包含去耦电容器的有源微电子组件 [P]. 
劳伦·德克劳斯 .
美国专利 :CN120092324A ,2025-06-03
[7]
包含触点结构的微电子装置,以及相关电子系统和方法 [P]. 
胡怡 ;
K·W·汤 .
中国专利 :CN113690244A ,2021-11-23
[8]
包含触点结构的微电子装置,以及相关电子系统和方法 [P]. 
胡怡 ;
K·W·汤 .
美国专利 :CN113690244B ,2025-03-28
[9]
包含存储器单元结构的微电子装置以及相关方法和电子系统 [P]. 
S·D·斯奈德 ;
T·A·菲古拉 ;
S·N·S·查拉马拉塞蒂 ;
江秉洁 ;
S·L·莱特 ;
Y·辛格 ;
李岩 ;
郭松 .
中国专利 :CN115377106A ,2022-11-22
[10]
包含触点结构的微电子装置,以及相关电子系统和方法 [P]. 
胡怡 ;
K·W·汤 .
美国专利 :CN120187022A ,2025-06-20