基于压电效应和压阻效应多模态耦合的微型电场传感器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811243886.7

申请日：

2018-10-24

公开(公告)号：

CN109212326A

公开(公告)日：

2019-01-15

发明(设计)人：

何金良胡军韩志飞薛芬王善祥张波曾嵘

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华园一号

IPC主分类号：

G01R2908

IPC分类号：

代理机构：

天津市尚仪知识产权代理事务所(普通合伙) 12217

代理人：

高正方

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-15	公开	公开
2020-10-02	授权	授权
2019-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 29/08 申请日:20181024

共 50 条

[1]

基于静电力和压阻效应的微型电场传感器件 [P].

何金良 ;

胡军 ;

韩志飞 ;

余占清 .

中国专利 :CN112505438A ,2021-03-16

[2]

一种基于静电力和压阻效应耦合的微型电场传感器件 [P].

谢从珍 ;

林柏森 ;

王纪港 ;

余松 ;

黄奕琅 ;

黄梦成 .

中国专利 :CN119246976B ,2025-07-22

[3]

一种基于静电力和压阻效应耦合的微型电场传感器件 [P].

谢从珍 ;

林柏森 ;

王纪港 ;

余松 ;

黄奕琅 ;

黄梦成 .

中国专利 :CN119246976A ,2025-01-03

[4]

基于逆压电效应的电容-悬臂梁微型式电场测量传感器件 [P].

何金良 ;

胡军 ;

韩志飞 ;

薛芬 ;

余占清 ;

曾嵘 ;

张波 ;

李琦 ;

庄池杰 .

中国专利 :CN111017861A ,2020-04-17

[5]

一种基于压电效应的声表面波电场传感器件 [P].

何金良 ;

韩志飞 ;

胡军 ;

张波 .

中国专利 :CN113640592A ,2021-11-12

[6]

基于静电力和压阻效应的微型电场传感器件的制备工艺流程 [P].

何金良 ;

韩志飞 ;

胡军 ;

余占清 .

中国专利 :CN112573477B ,2021-03-30

[7]

基于压电效应的高精度高场强电容式微型电场测量传感器件 [P].

胡军 ;

薛芬 ;

何金良 ;

杨钧清 ;

王善祥 ;

张波 ;

曾嵘 .

中国专利 :CN109212328A ,2019-01-15

[8]

基于磁电效应与压电效应的电流传感器及芯片 [P].

方东明 ;

季润可 ;

陶毅 ;

王蔓蓉 ;

刘紫威 ;

张程昱 ;

孙恒超 ;

闻志国 ;

李良 ;

杜君 ;

王祥 .

中国专利 :CN118443998A ,2024-08-06

[9]

一种基于压电效应的磁场传感器 [P].

汪升森 ;

张赟 .

中国专利 :CN212808588U ,2021-03-26

[10]

基于剪切压电效应的微型纳米马达 [P].

庞宗强 ;

李茂保 .

中国专利 :CN103427703A ,2013-12-04

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