半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610103003.3

申请日：

1994-05-26

公开(公告)号：

CN100501980C

公开(公告)日：

2006-12-20

发明(设计)人：

张宏勇高山彻竹村保彦宫永昭治

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L2184

IPC分类号：

H01L21336 H01L2120

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

刘杰

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101583881223 IPC(主分类):H01L 21/84 专利号:ZL2006101030033 申请日:19940526 授权公告日:20090617 终止日期:20130526
2009-06-17	授权	授权
2007-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-12-20	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

高山彻 ;

竹村保彦 ;

宫永昭治 .

中国专利 :CN1058584C ,1995-04-05

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

高山彻 ;

竹村保彦 ;

宫永昭治 .

中国专利 :CN1258102A ,2000-06-28

[3]

半导体器件 [P].

张宏勇 ;

高山彻 ;

竹村保彦 ;

宫永昭治 .

中国专利 :CN100350627C ,2000-06-28

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101728434A ,2010-06-09

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN104078512A ,2014-10-01

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

细谷邦雄 .

中国专利 :CN1992294A ,2007-07-04

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101740583B ,2010-06-16

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

细谷邦雄 .

中国专利 :CN102683421A ,2012-09-19

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

石桥雅义 ;

加藤美登里 .

中国专利 :CN101465355A ,2009-06-24

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

神野健 .

中国专利 :CN104465684B ,2015-03-25

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