半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99120259.7

申请日：

1994-05-26

公开(公告)号：

CN100350627C

公开(公告)日：

2000-06-28

发明(设计)人：

张宏勇高山彻竹村保彦宫永昭治

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L27092 H01L2712 G02F1136

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

李亚非

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2000-05-31	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2007-11-21	授权	授权
2000-06-28	公开	公开
2014-07-02	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101583283227 IPC(主分类):H01L 29/786 专利号:ZL991202597 申请日:19940526 授权公告日:20071121 期满终止日期:20140526

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

高山彻 ;

竹村保彦 ;

宫永昭治 .

中国专利 :CN1058584C ,1995-04-05

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

高山彻 ;

竹村保彦 ;

宫永昭治 .

中国专利 :CN100501980C ,2006-12-20

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

高山彻 ;

竹村保彦 ;

宫永昭治 .

中国专利 :CN1258102A ,2000-06-28

[4]

半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

荒井康行 ;

寺本聪 .

中国专利 :CN1385899A ,2002-12-18

[5]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102197490A ,2011-09-21

[6]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102386236A ,2012-03-21

[7]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102509736A ,2012-06-20

[8]

半导体器件 [P].

须贺原和之 ;

中川直纪 ;

丰田吉彦 ;

坂本孝雄 .

中国专利 :CN1716634A ,2006-01-04

[9]

半导体器件 [P].

田昌勋 ;

金容锡 ;

林浚熙 .

中国专利 :CN109037221A ,2018-12-18

[10]

半导体器件 [P].

田昌勋 ;

金容锡 ;

林浚熙 .

韩国专利 :CN109037221B ,2024-02-09

← 1 2 3 4 5 →