Ⅲ族氮化物结晶的制造方法以及制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680000230.1

申请日：

2006-03-13

公开(公告)号：

CN1954101A

公开(公告)日：

2007-04-25

发明(设计)人：

岩田浩和皿山正二福田实高桥哲也高桥彰

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C30B906

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

宋莉;杨梧

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-05-19	授权	授权
2007-06-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-04-25	公开	公开
2021-03-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/38 申请日:20060313 授权公告日:20100519 终止日期:20200313

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物结晶的制造方法、Ⅲ族氮化物结晶的制造装置及Ⅲ族氮化物结晶 [P].

皿山正二 ;

岩田浩和 ;

布施晃广 .

中国专利 :CN101175875A ,2008-05-07

[2]

Ⅲ族元素氮化物结晶制造装置以及Ⅲ族元素氮化物结晶制造方法 [P].

森勇介 ;

峯本尚 ;

北冈康夫 ;

木户口勋 ;

川村史朗 ;

佐佐木孝友 ;

梅田英和 ;

高桥康仁 .

中国专利 :CN100535200C ,2007-03-14

[3]

III族氮化物结晶的制造方法及III族氮化物结晶制造装置 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今出完 ;

伊势村雅士 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN106460228A ,2017-02-22

[4]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

今西正幸 ;

吉村政志 ;

村上航介 ;

小松真介 ;

多田昌浩 ;

冈山芳央 .

日本专利 :CN111575796B ,2024-07-23

[5]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

多田昌浩 ;

小松真介 ;

森勇介 ;

今西正幸 .

中国专利 :CN110387581A ,2019-10-29

[6]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

今西正幸 ;

吉村政志 ;

村上航介 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN110219047A ,2019-09-10

[7]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

今西正幸 ;

吉村政志 ;

村上航介 ;

小松真介 ;

多田昌浩 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN111575796A ,2020-08-25

[8]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

今西正幸 ;

冈本贵敏 .

日本专利 :CN110468455B ,2024-07-23

[9]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

今西正幸 ;

冈本贵敏 .

中国专利 :CN110468455A ,2019-11-19

[10]

III族氮化物基板以及III族氮化物结晶的制造方法 [P].

冈山芳央 .

中国专利 :CN107230737B ,2019-03-08

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