半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580064209.7

申请日：

2015-11-19

公开(公告)号：

CN107004603A

公开(公告)日：

2017-08-01

发明(设计)人：

菊池哲郞今井元越智久雄藤田哲生北川英树铃木正彦川岛慎吾大东彻

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府堺市堺区匠町1番地

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

G02F11368 H01L2128 H01L29417 H01L29786

代理机构：

深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334

代理人：

汪飞亚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-01	公开	公开
2017-08-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101743982047 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015800642097 申请日:20151119
2021-03-09	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

铃木正彦 ;

川岛慎吾 ;

今井元 ;

越智久雄 ;

藤田哲生 ;

北川英树 ;

菊池哲郞 ;

大东彻 .

中国专利 :CN107004720A ,2017-08-01

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

北川英树 ;

大东彻 ;

今井元 ;

越智久雄 ;

藤田哲生 ;

菊池哲郞 ;

川岛慎吾 ;

铃木正彦 .

中国专利 :CN107004719A ,2017-08-01

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

竹知和重 .

中国专利 :CN119050118A ,2024-11-29

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

原义仁 .

中国专利 :CN108028202B ,2018-05-11

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

佐佐木俊成 ;

坂田淳一郎 ;

大原宏树 .

中国专利 :CN105914236B ,2016-08-31

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

织田明博 .

中国专利 :CN106415801B ,2017-02-15

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

西村淳 ;

中田幸伸 ;

原义仁 .

中国专利 :CN103081079B ,2013-05-01

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

铃木正彦 ;

今井元 ;

北川英树 ;

菊池哲郎 ;

西宫节治 ;

上田辉幸 ;

原健吾 ;

大东彻 ;

伊藤俊克 .

中国专利 :CN109791949B ,2019-05-21

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

内田诚一 .

中国专利 :CN105814481A ,2016-07-27

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

秋元健吾 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN105097946A ,2015-11-25

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