半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780059506.1

申请日：

2017-09-21

公开(公告)号：

CN109791949B

公开(公告)日：

2019-05-21

发明(设计)人：

铃木正彦今井元北川英树菊池哲郎西宫节治上田辉幸原健吾大东彻伊藤俊克

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

C23C1408 C23C1458 G02F11368 H01L2128 H01L21336 H01L21363

代理机构：

北京市隆安律师事务所 11323

代理人：

权鲜枝;张艳凤

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-25	授权	授权
2019-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20170921
2019-05-21	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

铃木正彦 ;

川岛慎吾 ;

今井元 ;

越智久雄 ;

藤田哲生 ;

北川英树 ;

菊池哲郞 ;

大东彻 .

中国专利 :CN107004720A ,2017-08-01

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

佐佐木俊成 ;

坂田淳一郎 ;

大原宏树 .

中国专利 :CN105914236B ,2016-08-31

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

菊池哲郎 ;

铃木正彦 ;

西宫节治 ;

上田辉幸 ;

山中昌光 ;

大东彻 ;

今井元 ;

原健吾 .

中国专利 :CN110246900B ,2019-09-17

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN105514124A ,2016-04-20

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

北川英树 ;

大东彻 ;

今井元 ;

越智久雄 ;

藤田哲生 ;

菊池哲郞 ;

川岛慎吾 ;

铃木正彦 .

中国专利 :CN107004719A ,2017-08-01

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

桑原秀明 ;

秋元健吾 ;

佐佐木俊成 .

中国专利 :CN101740634B ,2010-06-16

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

宫永昭治 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN103839834A ,2014-06-04

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

竹知和重 .

中国专利 :CN119050118A ,2024-11-29

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

齐藤贵翁 ;

神崎庸辅 ;

中泽淳 ;

伊东一笃 ;

金子诚二 .

中国专利 :CN108496244B ,2018-09-04

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

原义仁 .

中国专利 :CN108028202B ,2018-05-11

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