半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680054850.7

申请日：

2016-09-20

公开(公告)号：

CN108028202B

公开(公告)日：

2018-05-11

发明(设计)人：

原义仁

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

G02F11368 H01L2128 H01L29786

代理机构：

北京市隆安律师事务所 11323

代理人：

权鲜枝;张艳凤

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-11	公开	公开
2021-05-25	授权	授权
2018-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20160920

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

西村淳 ;

中田幸伸 ;

原义仁 .

中国专利 :CN103081079B ,2013-05-01

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

铃木正彦 ;

川岛慎吾 ;

今井元 ;

越智久雄 ;

藤田哲生 ;

北川英树 ;

菊池哲郞 ;

大东彻 .

中国专利 :CN107004720A ,2017-08-01

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

北川英树 ;

大东彻 ;

今井元 ;

越智久雄 ;

藤田哲生 ;

菊池哲郞 ;

川岛慎吾 ;

铃木正彦 .

中国专利 :CN107004719A ,2017-08-01

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

近间义雅 ;

锦博彦 ;

太田纯史 ;

水野裕二 ;

原猛 ;

会田哲也 ;

铃木正彦 ;

竹井美智子 ;

中川兴史 ;

春本祥征 .

中国专利 :CN102652330B ,2012-08-29

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN102779844B ,2012-11-14

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

竹知和重 .

中国专利 :CN119050118A ,2024-11-29

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

齐藤贵翁 ;

神崎庸辅 ;

中泽淳 ;

伊东一笃 ;

金子诚二 .

中国专利 :CN108496244B ,2018-09-04

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

佐佐木俊成 ;

坂田淳一郎 ;

大原宏树 .

中国专利 :CN105914236B ,2016-08-31

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

织田明博 .

中国专利 :CN106415801B ,2017-02-15

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

菊池哲郞 ;

今井元 ;

越智久雄 ;

藤田哲生 ;

北川英树 ;

铃木正彦 ;

川岛慎吾 ;

大东彻 .

中国专利 :CN107004603A ,2017-08-01

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