半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780008343.4

申请日：

2017-01-16

公开(公告)号：

CN108496244B

公开(公告)日：

2018-09-04

发明(设计)人：

齐藤贵翁神崎庸辅中泽淳伊东一笃金子诚二

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

G09F900 G09F930 H01L213205 H01L21768 H01L23522 H01L23532 H01L29786

代理机构：

北京市隆安律师事务所 11323

代理人：

权鲜枝;张艳凤

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-13	授权	授权
2018-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20170116
2018-09-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

近间义雅 ;

锦博彦 ;

太田纯史 ;

水野裕二 ;

原猛 ;

会田哲也 ;

铃木正彦 ;

竹井美智子 ;

中川兴史 ;

春本祥征 .

中国专利 :CN102652330B ,2012-08-29

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

三宅博之 .

中国专利 :CN105206676A ,2015-12-30

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN102779844B ,2012-11-14

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

原义仁 .

中国专利 :CN108028202B ,2018-05-11

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

三宅博之 .

中国专利 :CN102598282A ,2012-07-18

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

西村淳 ;

中田幸伸 ;

原义仁 .

中国专利 :CN103081079B ,2013-05-01

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN101685835B ,2010-03-31

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

铃木正彦 ;

今井元 ;

北川英树 ;

菊池哲郎 ;

西宫节治 ;

上田辉幸 ;

原健吾 ;

大东彻 ;

伊藤俊克 .

中国专利 :CN109791949B ,2019-05-21

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

秋元健吾 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN105097946A ,2015-11-25

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN105514124A ,2016-04-20

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