半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080049953.7

申请日：

2010-10-13

公开(公告)号：

CN102598282A

公开(公告)日：

2012-07-18

发明(设计)人：

山崎舜平小山润三宅博之

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

G02F1136 G02F117 G02F119

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

秦晨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-18	公开	公开
2012-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101362719070 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2010800499537 申请日:20101013
2015-09-23	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

三宅博之 .

中国专利 :CN105206676A ,2015-12-30

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

宫人秀和 .

中国专利 :CN105849875B ,2016-08-10

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

近间义雅 ;

锦博彦 ;

太田纯史 ;

水野裕二 ;

原猛 ;

会田哲也 ;

铃木正彦 ;

竹井美智子 ;

中川兴史 ;

春本祥征 .

中国专利 :CN102652330B ,2012-08-29

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN102779844B ,2012-11-14

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

齐藤贵翁 ;

神崎庸辅 ;

中泽淳 ;

伊东一笃 ;

金子诚二 .

中国专利 :CN108496244B ,2018-09-04

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

西村淳 ;

中田幸伸 ;

原义仁 .

中国专利 :CN103081079B ,2013-05-01

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN101685835B ,2010-03-31

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

筱原聪始 .

中国专利 :CN106960880A ,2017-07-18

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

秋元健吾 .

中国专利 :CN107221562B ,2017-09-29

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

肥塚纯一 ;

冈崎健一 ;

保坂泰靖 ;

池山辉正 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN103187262B ,2013-07-03

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