半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080056072.8

申请日：

2010-12-03

公开(公告)号：

CN102652330B

公开(公告)日：

2012-08-29

发明(设计)人：

近间义雅锦博彦太田纯史水野裕二原猛会田哲也铃木正彦竹井美智子中川兴史春本祥征

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

G09F930

IPC分类号：

G02F11368 G09F900 H01L21336 H01L29786

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-17	授权	授权
2012-10-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101337333398 IPC(主分类):G09F 9/30 专利申请号:2010800560728 申请日:20101203
2012-08-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN102779844B ,2012-11-14

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN101685835B ,2010-03-31

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

秋元健吾 .

中国专利 :CN107221562B ,2017-09-29

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

西村淳 ;

中田幸伸 ;

原义仁 .

中国专利 :CN103081079B ,2013-05-01

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

秋元健吾 .

中国专利 :CN106887458B ,2017-06-23

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

秋元健吾 .

中国专利 :CN101901839B ,2010-12-01

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

宫人秀和 .

中国专利 :CN105849875B ,2016-08-10

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

三宅博之 .

中国专利 :CN105206676A ,2015-12-30

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

齐藤贵翁 ;

神崎庸辅 ;

中泽淳 ;

伊东一笃 ;

金子诚二 .

中国专利 :CN108496244B ,2018-09-04

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

原义仁 .

中国专利 :CN108028202B ,2018-05-11

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