一种垂直腔面发射纳米尺度半导体激光光源及制法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610165112.8

申请日：

2006-12-13

公开(公告)号：

CN101202419A

公开(公告)日：

2008-06-18

发明(设计)人：

宋国峰高建霞郭宝山陈良惠

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S5183

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

周长兴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-06-18	公开	公开
2010-01-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

垂直腔面发射半导体激光器结构 [P].

廖文渊 ;

谭满清 ;

韦欣 ;

郭文涛 .

中国专利 :CN111435781B ,2020-07-21

[2]

外腔垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法 [P].

宁永强 ;

李秀山 ;

王立军 ;

贾鹏 ;

刘云 ;

秦莉 ;

张星 .

中国专利 :CN104300362A ,2015-01-21

[3]

外腔垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法 [P].

宁永强 ;

李秀山 ;

王立军 ;

贾鹏 ;

刘云 ;

秦莉 ;

张星 .

中国专利 :CN104300363A ,2015-01-21

[4]

氮化物半导体垂直腔面发射激光器 [P].

斯科特·W·科尔扎因 ;

戴维·P·保尔 .

中国专利 :CN100583577C ,2007-02-21

[5]

半导体层叠板和垂直腔面发射激光器 [P].

原敬 .

中国专利 :CN103311805B ,2013-09-18

[6]

一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器 [P].

张保平 ;

任伯聪 ;

陈衍晖 ;

应磊莹 ;

郑志威 .

中国专利 :CN108923255A ,2018-11-30

[7]

垂直腔面发射激光器制造方法及垂直腔面发射激光器 [P].

李加伟 ;

赖铭智 .

中国专利 :CN114927938A ,2022-08-19

[8]

一种垂直腔面发射激光器光源 [P].

李川川 ;

韦欣 ;

李健 ;

程波 ;

宋国峰 .

中国专利 :CN113178777A ,2021-07-27

[9]

垂直腔面发射半导体激光器 [P].

宁永强 ;

李秀山 ;

王立军 ;

贾鹏 ;

刘云 ;

秦莉 ;

张星 .

中国专利 :CN104300364B ,2015-01-21

[10]

垂直腔面发射激光器的制备方法及垂直腔面发射激光器 [P].

李敏 ;

吴昌翰 ;

王冲 .

中国专利 :CN117498152A ,2024-02-02

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