高压半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010222959.1

申请日：

2010-07-09

公开(公告)号：

CN101916775A

公开(公告)日：

2010-12-15

发明(设计)人：

胡林辉吴健刘先锋

申请人：

申请人地址：

200241 上海市徐汇区宜山路800号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2936 H01L21336 H01L21266

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

逯长明;王宝筠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-15	公开	公开
2011-05-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101068088697 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010102229591 申请日:20100709
2013-12-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101678290922 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010102229591 申请公布日:20101215

共 50 条

[1]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

胡林辉 ;

姜艳 ;

刘先锋 ;

黄海涛 ;

徐旭 .

中国专利 :CN101916778B ,2010-12-15

[2]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

金知泓 ;

丁详勋 .

中国专利 :CN101211980A ,2008-07-02

[3]

高压半导体器件、高压半导体器件终端及其制造方法 [P].

邓小社 ;

钟圣荣 ;

王根毅 ;

周东飞 .

中国专利 :CN104600103A ,2015-05-06

[4]

高压半导体器件制造方法 [P].

李伟 .

中国专利 :CN102569159B ,2012-07-11

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

林宏穗 ;

赖汉昭 ;

卢道政 .

中国专利 :CN1217419C ,2003-10-08

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120676702A ,2025-09-19

[7]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

王仲盛 ;

王文智 ;

蒯照 .

中国专利 :CN119133250A ,2024-12-13

[8]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

王仲盛 ;

王文智 ;

蒯照 .

中国专利 :CN119133250B ,2025-12-02

[9]

制造高压半导体器件的工艺 [P].

陆晓敏 ;

黄海涛 ;

王伟国 ;

王浩 ;

陈康民 ;

韩雁 ;

张宇峰 ;

王旭红 .

中国专利 :CN100447982C ,2004-07-21

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

姚国亮 ;

邹华 ;

刘建平 ;

张邵华 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114388618B ,2024-02-23

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