高压半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710302157.X

申请日：

2007-12-17

公开(公告)号：

CN101211980A

公开(公告)日：

2008-07-02

发明(设计)人：

金知泓丁详勋

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2704 H01L21336 H01L218234

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

徐金国;梁挥

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101075511206 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:200710302157X 公开日:20080702
2008-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-07-02	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

金山弘 ;

金锺玟 .

中国专利 :CN101728393A ,2010-06-09

[2]

半导体器件制造方法及其半导体器件 [P].

杉井信之 ;

中川清和 ;

山口伸也 ;

宫尾正信 .

中国专利 :CN1716570A ,2006-01-04

[3]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

金容灿 ;

金容顿 ;

李准珩 .

中国专利 :CN1862832A ,2006-11-15

[4]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

高哲柱 .

中国专利 :CN1992347A ,2007-07-04

[5]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

王仲盛 ;

王文智 ;

蒯照 .

中国专利 :CN119133250A ,2024-12-13

[6]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

姚国亮 ;

张邵华 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN104835837A ,2015-08-12

[7]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

胡林辉 ;

吴健 ;

刘先锋 .

中国专利 :CN101916775A ,2010-12-15

[8]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

高光永 .

中国专利 :CN100524824C ,2007-06-20

[9]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

王仲盛 ;

王文智 ;

蒯照 .

中国专利 :CN119133250B ,2025-12-02

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

金大植 .

中国专利 :CN101335240B ,2008-12-31

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