高压半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510305777.3

申请日：

2015-06-05

公开(公告)号：

CN104835837A

公开(公告)日：

2015-08-12

发明(设计)人：

姚国亮张邵华吴建兴

申请人：

申请人地址：

310012 浙江省杭州市黄姑山路4号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

张振军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-12	公开	公开
2017-07-28	授权	授权
2015-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101624666670 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2015103057773 申请日:20150605

共 50 条

[1]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

金容灿 ;

金容顿 ;

李准珩 .

中国专利 :CN1862832A ,2006-11-15

[2]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

高哲柱 .

中国专利 :CN1992347A ,2007-07-04

[3]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

王仲盛 ;

王文智 ;

蒯照 .

中国专利 :CN119133250A ,2024-12-13

[4]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

高光永 .

中国专利 :CN100524824C ,2007-06-20

[5]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

王仲盛 ;

王文智 ;

蒯照 .

中国专利 :CN119133250B ,2025-12-02

[6]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

金知泓 ;

丁详勋 .

中国专利 :CN101211980A ,2008-07-02

[7]

高压半导体器件 [P].

姚国亮 ;

张邵华 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN204651326U ,2015-09-16

[8]

高压半导体器件 [P].

姚国亮 ;

张邵华 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN204760388U ,2015-11-11

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

满生彰 .

中国专利 :CN114388473A ,2022-04-22

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

津田是文 .

中国专利 :CN107591449B ,2018-01-16

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