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半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201710477079.0
申请日：
2017-06-21
公开(公告)号：
CN107591449B
公开(公告)日：
2018-01-16
发明(设计)人：
津田是文
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L21336
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
李辉;张昊
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-07-16 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20170621 |
| 2018-01-16 | 公开 | 公开 |
| 2022-05-10 | 授权 | 授权 |