高压半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610164688.2

申请日：

2006-12-14

公开(公告)号：

CN100524824C

公开(公告)日：

2007-06-20

发明(设计)人：

高光永

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2704 H01L21336 H01L21822

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

郑小军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-06-20	公开	公开
2007-08-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-02-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101597013256 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2006101646882 申请日:20061214 授权公告日:20090805 终止日期:20131214
2009-08-05	授权	授权

共 50 条

[1]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

金容灿 ;

金容顿 ;

李准珩 .

中国专利 :CN1862832A ,2006-11-15

[2]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

高哲柱 .

中国专利 :CN1992347A ,2007-07-04

[3]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

王仲盛 ;

王文智 ;

蒯照 .

中国专利 :CN119133250A ,2024-12-13

[4]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

姚国亮 ;

张邵华 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN104835837A ,2015-08-12

[5]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

王仲盛 ;

王文智 ;

蒯照 .

中国专利 :CN119133250B ,2025-12-02

[6]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

金知泓 ;

丁详勋 .

中国专利 :CN101211980A ,2008-07-02

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

黄文摄 .

中国专利 :CN100524825C ,2007-06-20

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

李真 ;

朴赞毫 ;

金虎铉 ;

黄大元 ;

金荣锡 .

韩国专利 :CN119133230A ,2024-12-13

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴茔泽 .

中国专利 :CN100502045C ,2007-07-04

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

张炳琸 .

中国专利 :CN100570892C ,2008-07-02

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