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高压半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411334930.0
申请日：
2024-09-24
公开(公告)号：
CN119133250B
公开(公告)日：
2025-12-02
发明(设计)人：
王仲盛
王文智
蒯照
申请人：
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址：
230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
IPC主分类号：
H10D30/60
IPC分类号：
H01L21/28
H10D64/27
H10D30/01
代理机构：
重庆华科专利事务所(普通合伙) 50123
代理人：
李勇
法律状态：
公开
国省代码：
天津市
市辖区
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-13 | 公开 | 公开 |
| 2025-12-02 | 授权 | 授权 |
| 2024-12-31 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240924 |