高分子电解质膜的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080004701.2

申请日：

2010-01-15

公开(公告)号：

CN102282709B

公开(公告)日：

2011-12-14

发明(设计)人：

足立真哉原真弓川上智教希代圣幸

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01M802

IPC分类号：

C08J522 H01B1300 H01M810

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

段承恩;田欣

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-14	授权	授权
2011-12-14	公开	公开
2012-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101177113551 IPC(主分类):H01M 8/02 专利申请号:2010800047012 申请日:20100115

共 50 条

[1]

高分子电解质膜的制造方法及高分子电解质膜 [P].

野殿光纪 .

中国专利 :CN101589442A ,2009-11-25

[2]

高分子电解质膜的制造方法及高分子电解质膜 [P].

野殿光纪 .

中国专利 :CN101595537A ,2009-12-02

[3]

高分子电解质膜的制造方法 [P].

佐佐井孝介 ;

山口裕树 ;

坂口佳充 ;

北村幸太 ;

山下全广 .

中国专利 :CN101641818B ,2010-02-03

[4]

高分子电解质膜、电化学装置和高分子电解质膜的制造方法 [P].

户和秀 .

中国专利 :CN1163998C ,2000-02-09

[5]

固体高分子电解质膜的制造方法、固体高分子电解质膜 [P].

石川雅彦 ;

高根朋幸 .

中国专利 :CN101730954A ,2010-06-09

[6]

高分子电解质膜 [P].

井上祐一 ;

宫崎久远 ;

菊池健太朗 ;

浦冈伸树 ;

茶圆伸一 ;

小西智久 ;

伊野忠 .

中国专利 :CN105849958A ,2016-08-10

[7]

高分子电解质膜 [P].

井上祐一 ;

宫崎久远 ;

田中轨人 ;

菊池健太朗 ;

浦冈伸树 ;

茶圆伸一 ;

小西智久 ;

伊野忠 .

中国专利 :CN105794031A ,2016-07-20

[8]

高分子电解质膜 [P].

岩原大 ;

川田武史 ;

金坂将 .

中国专利 :CN101965660A ,2011-02-02

[9]

高分子电解质膜 [P].

川田武史 ;

金坂将 ;

岩原大 .

中国专利 :CN101965659A ,2011-02-02

[10]

高分子电解质膜 [P].

俊成谦太 ;

井手彩矢佳 ;

山下竹友 ;

小野友裕 ;

须乡望 .

中国专利 :CN104584297A ,2015-04-29

← 1 2 3 4 5 →