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半导体制造装置及半导体装置的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010806940.5
申请日：
2020-08-12
公开(公告)号：
CN113410158A
公开(公告)日：
2021-09-17
发明(设计)人：
村木信介 中冈聪
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
H01L2167
IPC分类号：
H01L21311
代理机构：
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人：
张世俊
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-09-17 公开 公开
2021-10-08 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20200812
共 50 条
[1]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
村木信介 ;
中冈聪 .
日本专利 :CN113410158B ,2024-06-07
[2]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
三浦正幸 .
中国专利 :CN110246770A ,2019-09-17
[3]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
山本贵章 ;
野元拓也 .
中国专利 :CN115148618A ,2022-10-04
[4]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
山本贵章 ;
野元拓也 .
日本专利 :CN115148618B ,2025-12-26
[5]
半导体制造装置、使用半导体制造装置的半导体装置的制造方法及半导体装置 [P]. 
岩井贵雅 ;
铃木裕一郎 ;
白尾明稔 ;
小杉祥 ;
藤野纯司 .
中国专利 :CN114514599A ,2022-05-17
[6]
半导体制造装置、使用半导体制造装置的半导体装置的制造方法及半导体装置 [P]. 
岩井贵雅 ;
铃木裕一郎 ;
白尾明稔 ;
小杉祥 ;
藤野纯司 .
日本专利 :CN114514599B ,2025-05-13
[7]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
岩田亨 .
日本专利 :CN120048751A ,2025-05-27
[8]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
岩田亨 .
日本专利 :CN117766427A ,2024-03-26
[9]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
清水和宏 ;
秋山肇 ;
保田直纪 .
中国专利 :CN1921071B ,2007-02-28
[10]
半导体制造装置、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P]. 
财满健 .
日本专利 :CN119869845A ,2025-04-25
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