半导体制造装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010806940.5

申请日：

2020-08-12

公开(公告)号：

CN113410158B

公开(公告)日：

2024-06-07

发明(设计)人：

村木信介中冈聪

申请人：

铠侠股份有限公司

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/311

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

张世俊

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-07	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

村木信介 ;

中冈聪 .

中国专利 :CN113410158A ,2021-09-17

[2]

半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

三浦正幸 .

中国专利 :CN110246770A ,2019-09-17

[3]

半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

山本贵章 ;

野元拓也 .

中国专利 :CN115148618A ,2022-10-04

[4]

半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

山本贵章 ;

野元拓也 .

日本专利 :CN115148618B ,2025-12-26

[5]

半导体制造装置、使用半导体制造装置的半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

岩井贵雅 ;

铃木裕一郎 ;

白尾明稔 ;

小杉祥 ;

藤野纯司 .

中国专利 :CN114514599A ,2022-05-17

[6]

半导体制造装置、使用半导体制造装置的半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

岩井贵雅 ;

铃木裕一郎 ;

白尾明稔 ;

小杉祥 ;

藤野纯司 .

日本专利 :CN114514599B ,2025-05-13

[7]

半导体制造装置及半导体制造方法 [P].

岩田亨 .

日本专利 :CN120048751A ,2025-05-27

[8]

半导体制造装置及半导体制造方法 [P].

岩田亨 .

日本专利 :CN117766427A ,2024-03-26

[9]

半导体制造装置及半导体制造方法 [P].

清水和宏 ;

秋山肇 ;

保田直纪 .

中国专利 :CN1921071B ,2007-02-28

[10]

半导体制造装置、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

财满健 .

日本专利 :CN119869845A ,2025-04-25

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