一种厚胶光刻工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610432046.X

申请日：

2016-06-17

公开(公告)号：

CN105867071A

公开(公告)日：

2016-08-17

发明(设计)人：

陈哲张睿王者馥王绪敏殷金龙任鲁风

申请人：

申请人地址：

101111 北京市大兴区经济技术开发区科创六街88号亦庄生物医药园3号楼608

IPC主分类号：

G03F716

IPC分类号：

G03F720

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-17	公开	公开
2020-09-18	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G03F 7/16 申请公布日:20160817
2016-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101678598607 IPC(主分类):G03F 7/16 专利申请号:201610432046X 申请日:20160617

共 50 条

[1]

一种厚胶光刻工艺的光强分布模拟方法 [P].

周再发 ;

过凯麒 ;

黄庆安 .

中国专利 :CN114839841A ,2022-08-02

[2]

一种厚胶光刻工艺的光强分布模拟方法 [P].

周再发 ;

过凯麒 ;

黄庆安 .

中国专利 :CN114839841B ,2025-08-08

[3]

一种光刻胶及其光刻工艺 [P].

王国秋 ;

黄坚 ;

陈璀 .

中国专利 :CN111983890A ,2020-11-24

[4]

一种光刻胶及其光刻工艺 [P].

王国秋 ;

黄坚 ;

陈璀 .

中国专利 :CN111983890B ,2024-03-22

[5]

一种用于微器件深硅刻蚀的厚胶光刻工艺 [P].

商宗金 ;

周宇罡 ;

刘聪 .

中国专利 :CN119976731A ,2025-05-13

[6]

一种用于厚金属的光刻工艺 [P].

高向东 ;

张世权 ;

肖志强 ;

寇春梅 .

中国专利 :CN102097303B ,2011-06-15

[7]

光刻工艺中用于降低光刻胶膜厚的方法 [P].

熊丹妮 ;

盛况 ;

任娜 ;

王珩宇 .

中国专利 :CN114236968A ,2022-03-25

[8]

一种光刻胶、制备方法及其光刻工艺 [P].

孙逊运 ;

谢桂兰 ;

孙敏 ;

吴淑财 ;

于凯 ;

宋建林 .

中国专利 :CN107844028B ,2018-03-27

[9]

芯片用光刻胶及光刻工艺 [P].

王锦平 ;

王杰 .

中国专利 :CN110908240A ,2020-03-24

[10]

光刻工艺涂胶方法 [P].

何至伟 ;

官锡俊 .

中国专利 :CN120161680A ,2025-06-17

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