助熔的底层填料组合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01807139.2

申请日：

2001-12-13

公开(公告)号：

CN1222392C

公开(公告)日：

2003-07-02

发明(设计)人：

M·M·康纳斯基 J·P·克鲁格

申请人：

申请人地址：

美国康涅狄格州

IPC主分类号：

B23K3536

IPC分类号：

H01L2156 H01L2329

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

陈季壮

法律状态：

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-10	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2005-10-12	授权	授权
2004-03-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-07-02	公开	公开

共 50 条

[1]

包含苯并噁嗪的助熔不流动底层填料组合物 [P].

R·张 ;

O·M·穆萨 ;

M·博诺 .

中国专利 :CN1831075A ,2006-09-13

[2]

用于半导体组合件的底层填料 [P].

后藤锭志 ;

奥野辰弥 .

中国专利 :CN1360815A ,2002-07-24

[3]

导热性底层填料配制物 [P].

王栋一 .

中国专利 :CN101790561A ,2010-07-28

[4]

纳米颗粒填充的底层填料 [P].

斯科特·B·查尔斯 ;

凯思琳·M·格罗斯 ;

史蒂文·C·哈克特 ;

迈克尔·A·克罗普 ;

威廉·J·舒尔兹 ;

温迪·L·汤普森 .

中国专利 :CN100521869C ,2005-08-17

[5]

热塑性助熔底部填充组合物和方法 [P].

M·威尔森 ;

D·加雷特 .

中国专利 :CN101002318A ,2007-07-18

[6]

改进的热熔组合物 [P].

K·J·奇特汉姆 ;

T·C·舒特 .

中国专利 :CN101935431A ,2011-01-05

[7]

具有密封底层填料的填料的控制熔塌芯片连接(C4)集成电路封装 [P].

S·拉马林加姆 .

中国专利 :CN1349657A ,2002-05-15

[8]

半导体封装用液态底层填料组合物及倒装芯片型半导体装置 [P].

隅田和昌 ;

串原直行 .

中国专利 :CN105732983A ,2016-07-06

[9]

利用加热到部分凝胶态的底层填料底层填充控制熔塌芯片连接(C4)集成电路封装的方法 [P].

D·库克 ;

V·穆拉利 ;

S·拉马林加姆 ;

N·沃德拉哈利 .

中国专利 :CN1157782C ,2002-06-19

[10]

可B阶段双重固化的晶片级底层填料 [P].

B·马 ;

S·H·莱曼 ;

Q·K·童 .

中国专利 :CN1307701C ,2005-04-06

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