用于电化学法制备多孔硅的双槽装置及制备多孔硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510099634.1

申请日：

2015-03-07

公开(公告)号：

CN104746127B

公开(公告)日：

2015-07-01

发明(设计)人：

许高斌奚野陈兴马渊明

申请人：

申请人地址：

230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号

IPC主分类号：

C25F312

IPC分类号：

C25F314 C25F700

代理机构：

合肥金安专利事务所 34114

代理人：

徐伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-01	公开	公开
2015-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101618650101 IPC(主分类):C25F 3/12 专利申请号:2015100996341 申请日:20150307
2017-04-19	授权	授权

共 50 条

[1]

电化学法制备多孔硅的双槽装置 [P].

胡明 ;

张绪瑞 ;

张伟 .

中国专利 :CN1974880A ,2007-06-06

[2]

光辅助多孔硅电化学腐蚀槽 [P].

闻永祥 ;

刘琛 ;

季峰 ;

江为团 .

中国专利 :CN202543375U ,2012-11-21

[3]

光辅助多孔硅电化学腐蚀槽 [P].

闻永祥 ;

刘琛 ;

季峰 ;

江为团 .

中国专利 :CN102618914A ,2012-08-01

[4]

多孔硅基底的制备方法及多孔硅基底 [P].

李光宇 .

中国专利 :CN110386585A ,2019-10-29

[5]

用于制备多孔硅微粒的电化学和化学蚀刻的组合方法 [P].

S·L·比斯瓦尔 ;

M·S·王 ;

M·塔库尔 ;

S·L·辛萨伯格 .

中国专利 :CN105264654A ,2016-01-20

[6]

图形化电化学腐蚀制备多孔硅方法 [P].

胡志宇 ;

吴义桂 ;

林忠劲 ;

龙啸 ;

田遵义 ;

韩超 ;

张海明 .

中国专利 :CN104562171A ,2015-04-29

[7]

多孔硅、硅碳复合材料及其制备方法、电化学装置 [P].

吴坚 ;

王淑娴 ;

王成运 ;

刘伟 ;

陈永坤 .

中国专利 :CN121202133A ,2025-12-26

[8]

一种制备纳米多孔硅的电化学腐蚀系统 [P].

薛艳 ;

刘兰 ;

任小明 ;

张晶鑫 ;

张蕊 ;

解瑞珍 ;

平川 ;

白颖伟 .

中国专利 :CN204138813U ,2015-02-04

[9]

多孔硅材料的制备方法及由该方法制得的多孔硅材料 [P].

张新倍 ;

陈文荣 ;

蒋焕梧 ;

陈正士 ;

林顺茂 .

中国专利 :CN102485945A ,2012-06-06

[10]

离心电化学法制备石墨烯的装置及方法 [P].

陈杰 ;

陈文苗 ;

王凡 ;

骆艳华 ;

裴晓东 ;

邓翔 ;

朱叶峰 ;

钱有军 .

中国专利 :CN113929088A ,2022-01-14

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