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半导体结构
被引:0
申请号
:
CN202111119390.0
申请日
:
2021-09-24
公开(公告)号
:
CN115132838A
公开(公告)日
:
2022-09-30
发明(设计)人
:
陈柏安
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹科学工业园区
IPC主分类号
:
H01L29778
IPC分类号
:
H01L29423
代理机构
:
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
:
周永君;董骁毅
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-09-30
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体结构
[P].
陈柏安
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
新唐科技股份有限公司
新唐科技股份有限公司
陈柏安
.
中国专利
:CN115132838B
,2025-08-12
[2]
半导体结构及半导体结构的制备方法
[P].
柳月波
论文数:
0
引用数:
0
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0
柳月波
;
赖灿雄
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赖灿雄
;
杨少华
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0
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杨少华
;
路国光
论文数:
0
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0
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0
路国光
.
中国专利
:CN114335175A
,2022-04-12
[3]
半导体结构及半导体结构的制作方法
[P].
沈宇桐
论文数:
0
引用数:
0
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0
沈宇桐
.
中国专利
:CN115602723A
,2023-01-13
[4]
一种半导体结构
[P].
程凯
论文数:
0
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0
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0
机构:
苏州晶湛半导体有限公司
苏州晶湛半导体有限公司
程凯
.
中国专利
:CN220914240U
,2024-05-07
[5]
半导体结构及其制备方法
[P].
霍树栋
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机构:
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
霍树栋
;
高云云
论文数:
0
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机构:
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
高云云
.
中国专利
:CN117438303B
,2024-04-26
[6]
半导体结构及其制备方法
[P].
霍树栋
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机构:
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
霍树栋
;
高云云
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机构:
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
高云云
.
中国专利
:CN117438303A
,2024-01-23
[7]
半导体结构及其制备方法
[P].
霍彦辰
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
霍彦辰
;
贾超超
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
贾超超
;
管宝辉
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
管宝辉
;
王江证
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
王江证
;
张旭
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
张旭
;
李兰
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
李兰
.
中国专利
:CN118712223A
,2024-09-27
[8]
半导体接触结构
[P].
维克托·西佐夫
论文数:
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0
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维克托·西佐夫
.
中国专利
:CN113555423A
,2021-10-26
[9]
半导体外延结构和半导体器件
[P].
张晖
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张晖
;
孔苏苏
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孔苏苏
;
李仕强
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李仕强
;
周文龙
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周文龙
;
谈科伟
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谈科伟
;
杜小青
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杜小青
.
中国专利
:CN215955285U
,2022-03-04
[10]
半导体结构及其制作方法
[P].
程凯
论文数:
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0
程凯
.
中国专利
:CN114600253A
,2022-06-07
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