电阻体材料、电阻薄膜形成用溅射靶、电阻薄膜、薄膜电阻器以及它们的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010529259.7

申请日：

2010-10-29

公开(公告)号：

CN102117670A

公开(公告)日：

2011-07-06

发明(设计)人：

横林贞之杉原雅博

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01B116

IPC分类号：

H01C700 H01C1712 C23C1434

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

菅兴成;吴小瑛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101325711745 IPC(主分类):H01B 1/16 专利申请号:2010105292597 申请日:20101029
2011-07-06	公开	公开
2016-05-04	授权	授权

共 50 条

[1]

金属电阻材料、溅射靶材、电阻薄膜及其制造方法 [P].

大迫敏行 ;

佐藤岩 ;

森本敏夫 .

中国专利 :CN1614059A ,2005-05-11

[2]

形成薄膜电阻器的方法 [P].

M·N·莫里塞 ;

B·P·斯坦森 .

中国专利 :CN103714927B ,2014-04-09

[3]

高电阻薄膜电阻器及形成所述电阻器的方法 [P].

拜伦·洛弗尔·威廉斯 ;

约翰·布里顿·罗宾斯 .

中国专利 :CN103779335A ,2014-05-07

[4]

薄膜电阻器 [P].

S·J·高尔 ;

M·D·丘奇 .

中国专利 :CN102129965A ,2011-07-20

[5]

薄膜电阻器 [P].

巫致玮 ;

陈惠如 ;

庄乃川 ;

王高源 .

中国专利 :CN203858946U ,2014-10-01

[6]

薄膜电阻器的制造方法 [P].

陈木元 ;

陈泰铭 .

中国专利 :CN1166061A ,1997-11-26

[7]

薄膜电阻器的制造方法 [P].

叶德强 ;

匡训沖 ;

刘铭棋 ;

喻中一 ;

赵治平 ;

亚历山大·卡尼斯基 .

中国专利 :CN102129900A ,2011-07-20

[8]

薄膜电阻器的制造方法 [P].

林弘彬 ;

郭献章 .

中国专利 :CN1323044A ,2001-11-21

[9]

片式薄膜电阻器的制造方法 [P].

谢强 ;

杨胜艾 ;

周瑞山 ;

张平 ;

罗向阳 ;

张青 ;

张铎 ;

罗彦军 ;

栗晓帆 ;

杨舰 .

中国专利 :CN101593588B ,2009-12-02

[10]

微波薄膜电阻器、微波薄膜电阻网络模块及其制造方法 [P].

程超 ;

庄严 .

中国专利 :CN101533693A ,2009-09-16

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