高深宽比结构中的间隙填充的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880026884.4

申请日：

2018-04-12

公开(公告)号：

CN110546753A

公开(公告)日：

2019-12-06

发明(设计)人：

程睿 A·B·玛里克 P·曼纳陈一宏

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L213065

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

侯颖媖;张鑫

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20180412
2019-12-06	公开	公开

共 50 条

[1]

高深宽比结构中电镀液的填充方法 [P].

刘博 ;

黄景山 ;

孔宪明 .

中国专利 :CN114908389A ,2022-08-16

[2]

高深宽比间隙填充内的缝隙移除 [P].

赵庆华 ;

程睿 ;

黄锐赟 ;

李铜衡 ;

A·爱丁 ;

K·嘉纳基拉曼 .

美国专利 :CN117999640A ,2024-05-07

[3]

高深宽比结构的光刻胶填充方法 [P].

孟鸿林 ;

魏芳 ;

朱骏 ;

吕煜坤 ;

张旭升 .

中国专利 :CN105206511B ,2015-12-30

[4]

高深宽比结构的制备方法 [P].

吕泓岳 ;

张宏隆 ;

李永凯 ;

张智豪 .

中国专利 :CN100390928C ,2006-09-06

[5]

蚀刻高深宽比结构的方法 [P].

乔锋 ;

周海龙 ;

符谦 ;

S·朴 ;

J·周 ;

R·阿加瓦尔 ;

刘同 .

美国专利 :CN121002644A ,2025-11-21

[6]

高深宽比结构 [P].

张升原 ;

魏安祺 ;

连楠梓 ;

杨大弘 ;

陈光钊 .

中国专利 :CN105702679A ,2016-06-22

[7]

去除高深宽比结构中的Ⅲ-V材料的方法 [P].

鲍新宇 ;

张郢 ;

周清军 ;

林永振 .

中国专利 :CN110400747A ,2019-11-01

[8]

高深宽比结构中的触点清洁 [P].

巴渝·西德约伊斯沃罗 ;

海伦·朱 ;

琳达·马克斯 ;

朴俊 .

中国专利 :CN105390389B ,2016-03-09

[9]

用于高深宽比结构的移除方法 [P].

L·徐 ;

陈智君 ;

J·黄 ;

王安川 .

中国专利 :CN110235228A ,2019-09-13

[10]

高深宽比结构的制备方法及结构 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109427579A ,2019-03-05

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