高深宽比间隙填充内的缝隙移除

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202280062413.5
申请日
2022-08-05
公开(公告)号
CN117999640A
公开(公告)日
2024-05-07
发明(设计)人
赵庆华 程睿 黄锐赟 李铜衡 A·爱丁 K·嘉纳基拉曼
申请人
应用材料公司
申请人地址
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
H01L21/321
IPC分类号
H01L21/3205 H01L21/3105 H01L21/02
代理机构
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
侯颖媖;张鑫
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
用于高深宽比结构的移除方法 [P]. 
L·徐 ;
陈智君 ;
J·黄 ;
王安川 .
中国专利 :CN110235228A ,2019-09-13
[2]
高深宽比间隙掺杂层间介质的填充方法 [P]. 
孙凌 ;
智晓愿 ;
时延 ;
刘正超 ;
黄庆丰 .
中国专利 :CN101740377A ,2010-06-16
[3]
无缝隙间隙填充沉积 [P]. 
赵庆华 ;
程睿 ;
K·嘉纳基拉曼 .
美国专利 :CN117980533A ,2024-05-03
[4]
高深宽比结构中的间隙填充的方法 [P]. 
程睿 ;
A·B·玛里克 ;
P·曼纳 ;
陈一宏 .
中国专利 :CN110546753A ,2019-12-06
[5]
高深宽比沉积 [P]. 
S·慕克吉 ;
A·B·玛里克 .
中国专利 :CN111108581A ,2020-05-05
[6]
清洁高深宽比通孔 [P]. 
刘杰 ;
S·朴 ;
A·王 ;
Z·崔 ;
N·K·英格尔 .
中国专利 :CN107810546B ,2018-03-16
[7]
用于高深宽比填充的半导体反流处理 [P]. 
伊斯梅尔·T·埃迈什 ;
罗伯特·C·林克 .
中国专利 :CN103426816B ,2013-12-04
[8]
高深宽比半导体特征中的高共形性金属蚀刻 [P]. 
小林·C·陈 ;
王柏玮 ;
R·P·雷迪 ;
徐万兴 ;
崔振江 ;
王安川 .
美国专利 :CN119256392A ,2025-01-03
[9]
蚀刻高深宽比结构的方法 [P]. 
乔锋 ;
周海龙 ;
符谦 ;
S·朴 ;
J·周 ;
R·阿加瓦尔 ;
刘同 .
美国专利 :CN121002644A ,2025-11-21
[10]
高深宽比铝刻蚀方法 [P]. 
王泽玉 ;
沈显青 ;
李东 .
中国专利 :CN118943022A ,2024-11-12