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高深宽比间隙填充内的缝隙移除
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202280062413.5
申请日
:
2022-08-05
公开(公告)号
:
CN117999640A
公开(公告)日
:
2024-05-07
发明(设计)人
:
赵庆华
程睿
黄锐赟
李铜衡
A·爱丁
K·嘉纳基拉曼
申请人
:
应用材料公司
申请人地址
:
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
:
H01L21/321
IPC分类号
:
H01L21/3205
H01L21/3105
H01L21/02
代理机构
:
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
:
侯颖媖;张鑫
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-05-24
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/321申请日:20220805
2024-05-07
公开
公开
共 50 条
[1]
用于高深宽比结构的移除方法
[P].
L·徐
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
L·徐
;
陈智君
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈智君
;
J·黄
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
J·黄
;
王安川
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王安川
.
中国专利
:CN110235228A
,2019-09-13
[2]
高深宽比间隙掺杂层间介质的填充方法
[P].
孙凌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
孙凌
;
智晓愿
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
智晓愿
;
时延
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
时延
;
刘正超
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘正超
;
黄庆丰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
黄庆丰
.
中国专利
:CN101740377A
,2010-06-16
[3]
无缝隙间隙填充沉积
[P].
赵庆华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
应用材料公司
应用材料公司
赵庆华
;
程睿
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
应用材料公司
应用材料公司
程睿
;
K·嘉纳基拉曼
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
应用材料公司
应用材料公司
K·嘉纳基拉曼
.
美国专利
:CN117980533A
,2024-05-03
[4]
高深宽比结构中的间隙填充的方法
[P].
程睿
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
程睿
;
A·B·玛里克
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
A·B·玛里克
;
P·曼纳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
P·曼纳
;
陈一宏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈一宏
.
中国专利
:CN110546753A
,2019-12-06
[5]
高深宽比沉积
[P].
S·慕克吉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
S·慕克吉
;
A·B·玛里克
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
A·B·玛里克
.
中国专利
:CN111108581A
,2020-05-05
[6]
清洁高深宽比通孔
[P].
刘杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘杰
;
S·朴
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
S·朴
;
A·王
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
A·王
;
Z·崔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
Z·崔
;
N·K·英格尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
N·K·英格尔
.
中国专利
:CN107810546B
,2018-03-16
[7]
用于高深宽比填充的半导体反流处理
[P].
伊斯梅尔·T·埃迈什
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
伊斯梅尔·T·埃迈什
;
罗伯特·C·林克
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
罗伯特·C·林克
.
中国专利
:CN103426816B
,2013-12-04
[8]
高深宽比半导体特征中的高共形性金属蚀刻
[P].
小林·C·陈
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
应用材料公司
应用材料公司
小林·C·陈
;
王柏玮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
应用材料公司
应用材料公司
王柏玮
;
R·P·雷迪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
应用材料公司
应用材料公司
R·P·雷迪
;
徐万兴
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
应用材料公司
应用材料公司
徐万兴
;
崔振江
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
应用材料公司
应用材料公司
崔振江
;
王安川
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
应用材料公司
应用材料公司
王安川
.
美国专利
:CN119256392A
,2025-01-03
[9]
蚀刻高深宽比结构的方法
[P].
乔锋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
应用材料公司
应用材料公司
乔锋
;
周海龙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
应用材料公司
应用材料公司
周海龙
;
符谦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
应用材料公司
应用材料公司
符谦
;
S·朴
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
应用材料公司
应用材料公司
S·朴
;
J·周
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
应用材料公司
应用材料公司
J·周
;
R·阿加瓦尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
应用材料公司
应用材料公司
R·阿加瓦尔
;
刘同
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
应用材料公司
应用材料公司
刘同
.
美国专利
:CN121002644A
,2025-11-21
[10]
高深宽比铝刻蚀方法
[P].
王泽玉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
王泽玉
;
沈显青
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
沈显青
;
李东
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
李东
.
中国专利
:CN118943022A
,2024-11-12
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