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无缝隙间隙填充沉积

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202280061703.8
申请日：
2022-08-05
公开(公告)号：
CN117980533A
公开(公告)日：
2024-05-03
发明(设计)人：
赵庆华 程睿 K·嘉纳基拉曼
申请人：
应用材料公司
申请人地址：
美国加利福尼亚州
IPC主分类号：
C23C16/44
IPC分类号：
C23C16/04 C23C16/509 H01L21/02 H01L21/768
代理机构：
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人：
储思哲;侯颖媖
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-05-21 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/44申请日:20220805
2024-05-03 公开 公开
共 50 条
[1]
高深宽比间隙填充内的缝隙移除 [P]. 
赵庆华 ;
程睿 ;
黄锐赟 ;
李铜衡 ;
A·爱丁 ;
K·嘉纳基拉曼 .
美国专利 :CN117999640A ,2024-05-07
[2]
实现无缝钴间隙填充的方法 [P]. 
布尚·N·左普 ;
阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ;
博·郑 ;
雷雨 ;
傅新宇 ;
斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ;
柳尚澔 ;
马修·亚伯拉罕 .
中国专利 :CN105518827A ,2016-04-20
[3]
实现无缝钴间隙填充的方法 [P]. 
布尚·N·左普 ;
阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ;
博·郑 ;
雷雨 ;
傅新宇 ;
斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ;
柳尚澔 ;
马修·亚伯拉罕 .
中国专利 :CN110066984B ,2019-07-30
[4]
间隙填充沉积工艺 [P]. 
姜浩 ;
古劳斯·贝基亚里斯 ;
埃莉卡·陈 ;
梅裕尔·B·奈克 .
中国专利 :CN114556544A ,2022-05-27
[5]
无空隙间隙填充的电化学沉积方法 [P]. 
塞尔达·阿克苏 ;
李政古 ;
鲍尔特·萨克里 ;
罗伊·夏维夫 .
中国专利 :CN110073485A ,2019-07-30
[6]
实现无缝钴间隙填充的方法 [P]. 
布尚·N·左普 ;
阿夫热里诺·V·杰拉托斯 ;
博·郑 ;
雷宇 ;
付新宇 ;
斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ;
尚浩·于 ;
马修·亚伯拉罕 .
中国专利 :CN106887380A ,2017-06-23
[7]
实现无缝钴间隙填充的方法 [P]. 
布尚·N·左普 ;
阿夫热里诺·V·杰拉托斯 ;
博·郑 ;
雷宇 ;
付新宇 ;
斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ;
尚浩·于 ;
马修·亚伯拉罕 .
中国专利 :CN104205302B ,2017-04-05
[8]
碳间隙填充处理 [P]. 
A·S·巴加尔 ;
符谦 .
美国专利 :CN118120043A ,2024-05-31
[9]
碳间隙填充膜 [P]. 
江施施 ;
E·文卡塔苏布磊曼聂 ;
P·曼纳 ;
A·玛里克 .
中国专利 :CN112385013A ,2021-02-19
[10]
低温碳间隙填充 [P]. 
S·高希 ;
S·S·罗伊 ;
A·B·玛里克 ;
S·S·奥哈 ;
P·P·杰哈 ;
程睿 .
美国专利 :CN119365960A ,2025-01-24
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