低温碳间隙填充

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380045601.1

申请日：

2023-05-02

公开(公告)号：

CN119365960A

公开(公告)日：

2025-01-24

发明(设计)人：

S·高希 S·S·罗伊 A·B·玛里克 S·S·奥哈 P·P·杰哈程睿

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01J37/32

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

储思哲;侯颖媖

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20230502
2025-01-24	公开	公开

共 50 条

[1]

碳间隙填充处理 [P].

A·S·巴加尔 ;

符谦 .

美国专利 :CN118120043A ,2024-05-31

[2]

碳间隙填充膜 [P].

江施施 ;

E·文卡塔苏布磊曼聂 ;

P·曼纳 ;

A·玛里克 .

中国专利 :CN112385013A ,2021-02-19

[3]

低温氧化硅间隙填充 [P].

索哈姆·阿萨尼 ;

巴加夫·S·西特拉 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ;

怡利·Y·叶 .

美国专利 :CN119278507A ,2025-01-07

[4]

高深宽比间隙填充内的缝隙移除 [P].

赵庆华 ;

程睿 ;

黄锐赟 ;

李铜衡 ;

A·爱丁 ;

K·嘉纳基拉曼 .

美国专利 :CN117999640A ,2024-05-07

[5]

无缝隙间隙填充沉积 [P].

赵庆华 ;

程睿 ;

K·嘉纳基拉曼 .

美国专利 :CN117980533A ,2024-05-03

[6]

使用基于碳的膜的间隙填充 [P].

唐伟 ;

杰森·达恩金·帕克 ;

巴特·J·范施兰芬迪杰克 ;

王舒济 ;

卡伊翰·艾比迪·艾施提阿妮 .

中国专利 :CN106067440A ,2016-11-02

[7]

实现无缝钴间隙填充的方法 [P].

布尚·N·左普 ;

阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ;

博·郑 ;

雷雨 ;

傅新宇 ;

斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ;

柳尚澔 ;

马修·亚伯拉罕 .

中国专利 :CN105518827A ,2016-04-20

[8]

实现无缝钴间隙填充的方法 [P].

布尚·N·左普 ;

阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ;

博·郑 ;

雷雨 ;

傅新宇 ;

斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ;

柳尚澔 ;

马修·亚伯拉罕 .

中国专利 :CN110066984B ,2019-07-30

[9]

间隙填充方法 [P].

沈载桓 ;

朴琎洪 ;

林载峰 ;

赵廷奎 ;

徐承柏 ;

朴钟根 ;

李明琦 ;

P·D·胡斯塔德 .

中国专利 :CN105304550A ,2016-02-03

[10]

间隙填充方法 [P].

朴钟根 ;

徐承柏 ;

P·D·胡斯塔德 ;

李明琦 .

中国专利 :CN104701238A ,2015-06-10

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