超低密度有源区的浅沟槽隔离平坦化的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210499649.3

申请日：

2012-11-29

公开(公告)号：

CN103855070A

公开(公告)日：

2014-06-11

发明(设计)人：

钱志刚程晓华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

高月红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583605118 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2012104996493 申请日:20121129
2018-03-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/762 申请公布日:20140611
2014-06-11	公开	公开

共 50 条

[1]

增加浅沟槽隔离结构表面悬突高度的方法 [P].

钱志刚 ;

程晓华 .

中国专利 :CN104576500A ,2015-04-29

[2]

浅沟槽隔离结构的制备方法 [P].

平延磊 ;

张炳一 ;

孟昭生 .

中国专利 :CN102087988A ,2011-06-08

[3]

形成浅沟槽隔离区的方法 [P].

夏雁宾 ;

杨玲 ;

张飞 .

中国专利 :CN103681448A ,2014-03-26

[4]

浅沟槽隔离化学机械平坦化方法 [P].

何卫 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN103377912B ,2013-10-30

[5]

浅沟槽隔离的制造方法 [P].

王新鹏 .

中国专利 :CN102655111A ,2012-09-05

[6]

一种浅沟槽隔离有源区的方法 [P].

余德钦 ;

周文斌 ;

张磊 ;

高永辉 .

中国专利 :CN107507802A ,2017-12-22

[7]

浅沟槽隔离区、浅沟槽隔离区掩膜版及浅沟槽隔离区制造方法 [P].

孟兆祥 ;

李庆刚 ;

刘庆炜 .

中国专利 :CN101246884A ,2008-08-20

[8]

浅沟槽隔离平坦化方法以及半导体制造方法 [P].

徐强 ;

张守龙 .

中国专利 :CN102709227A ,2012-10-03

[9]

浅沟槽隔离的制作方法 [P].

曹永峰 .

中国专利 :CN102354679A ,2012-02-15

[10]

浅沟槽隔离结构的制备方法 [P].

韩广涛 .

中国专利 :CN114709166A ,2022-07-05

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