一种浅沟槽隔离有源区的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710772505.3

申请日：

2017-08-31

公开(公告)号：

CN107507802A

公开(公告)日：

2017-12-22

发明(设计)人：

余德钦周文斌张磊高永辉

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

王宝筠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20170831
2020-02-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/762 申请公布日:20171222
2017-12-22	公开	公开

共 50 条

[1]

浅沟槽隔离区、浅沟槽隔离区掩膜版及浅沟槽隔离区制造方法 [P].

孟兆祥 ;

李庆刚 ;

刘庆炜 .

中国专利 :CN101246884A ,2008-08-20

[2]

形成浅沟槽隔离区的方法 [P].

夏雁宾 ;

杨玲 ;

张飞 .

中国专利 :CN103681448A ,2014-03-26

[3]

形成浅沟槽隔离区的方法 [P].

周鸣 ;

平延磊 .

中国专利 :CN103579076B ,2014-02-12

[4]

形成浅沟槽隔离区的方法 [P].

张飞 ;

杨玲 ;

夏雁宾 .

中国专利 :CN103681449A ,2014-03-26

[5]

减小浅沟槽隔离区凹槽的方法 [P].

储佳 .

中国专利 :CN1825559A ,2006-08-30

[6]

浅沟槽隔离区的制作方法 [P].

唐兆云 .

中国专利 :CN101969039A ,2011-02-09

[7]

浅沟槽隔离区的制作方法 [P].

秦宏志 ;

赵星 ;

高剑鸣 ;

赵金柱 .

中国专利 :CN102024739A ,2011-04-20

[8]

浅沟槽隔离区的形成方法 [P].

邵群 .

中国专利 :CN103187353A ,2013-07-03

[9]

浅沟槽隔离区的制造方法 [P].

马思尊 ;

张国华 .

中国专利 :CN1259706C ,2004-07-28

[10]

保护浅沟槽隔离区的方法 [P].

沈萍 ;

马旭 ;

曹亚民 .

中国专利 :CN103337473A ,2013-10-02

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