浅沟槽隔离区的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110453526.1

申请日：

2011-12-29

公开(公告)号：

CN103187353A

公开(公告)日：

2013-07-03

发明(设计)人：

邵群

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-03	公开	公开
2013-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101499125017 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2011104535261 申请日:20111229
2016-11-23	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101742429764 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2011104535261 申请公布日:20130703

共 50 条

[1]

形成浅沟槽隔离区的方法 [P].

夏雁宾 ;

杨玲 ;

张飞 .

中国专利 :CN103681448A ,2014-03-26

[2]

形成浅沟槽隔离区的方法 [P].

周鸣 ;

平延磊 .

中国专利 :CN103579076B ,2014-02-12

[3]

形成浅沟槽隔离区的方法 [P].

张飞 ;

杨玲 ;

夏雁宾 .

中国专利 :CN103681449A ,2014-03-26

[4]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

陈海华 ;

黄怡 ;

张海洋 .

中国专利 :CN101459106A ,2009-06-17

[5]

浅沟槽隔离区及其形成方法 [P].

何永根 ;

刘佑铭 .

中国专利 :CN101459110A ,2009-06-17

[6]

浅沟槽隔离区形成方法 [P].

张文广 ;

郭佳衢 .

中国专利 :CN101459113A ,2009-06-17

[7]

浅沟槽隔离的形成方法 [P].

何有丰 ;

白杰 ;

朴松源 .

中国专利 :CN101207063A ,2008-06-25

[8]

浅沟槽隔离区形成方法、浅沟槽隔离区结构及膜层形成方法 [P].

刘明源 ;

郭佳衢 .

中国专利 :CN101312146A ,2008-11-26

[9]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

王飞飞 ;

张继亮 ;

李小康 ;

王裕晓 .

中国专利 :CN113223995A ,2021-08-06

[10]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

杨芸 .

中国专利 :CN104103571B ,2014-10-15

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