浅沟槽隔离区形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710094519.0

申请日：

2007-12-13

公开(公告)号：

CN101459113A

公开(公告)日：

2009-06-17

发明(设计)人：

张文广郭佳衢

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

李丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-06-17	公开	公开
2009-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-12-22	授权	授权

共 50 条

[1]

浅沟槽隔离区形成方法、浅沟槽隔离区结构及膜层形成方法 [P].

刘明源 ;

郭佳衢 .

中国专利 :CN101312146A ,2008-11-26

[2]

浅沟槽隔离区及其形成方法 [P].

何永根 ;

刘佑铭 .

中国专利 :CN101459110A ,2009-06-17

[3]

浅沟槽隔离区的形成方法 [P].

邵群 .

中国专利 :CN103187353A ,2013-07-03

[4]

形成浅沟槽隔离区的方法 [P].

夏雁宾 ;

杨玲 ;

张飞 .

中国专利 :CN103681448A ,2014-03-26

[5]

形成浅沟槽隔离区的方法 [P].

周鸣 ;

平延磊 .

中国专利 :CN103579076B ,2014-02-12

[6]

形成浅沟槽隔离区的方法 [P].

张飞 ;

杨玲 ;

夏雁宾 .

中国专利 :CN103681449A ,2014-03-26

[7]

浅沟槽隔离区形成方法及介质层形成方法 [P].

张文广 ;

刘明源 ;

郑春生 .

中国专利 :CN101459111A ,2009-06-17

[8]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

向阳辉 ;

荆学珍 .

中国专利 :CN101290903A ,2008-10-22

[9]

浅沟槽隔离结构及其形成方法 [P].

任小兵 ;

熊伟 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN111128854A ,2020-05-08

[10]

浅沟槽隔离的形成方法 [P].

何有丰 ;

白杰 ;

朴松源 .

中国专利 :CN101207063A ,2008-06-25

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