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浅沟槽隔离结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911373892.9
申请日：
2019-12-27
公开(公告)号：
CN111128854A
公开(公告)日：
2020-05-08
发明(设计)人：
任小兵
熊伟
陈华伦
申请人：
申请人地址：
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号：
H01L21762
IPC分类号：
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
张彦敏
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-05-08 | 公开 | 公开 |