形成浅沟槽隔离区的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210337557.5

申请日：

2012-09-13

公开(公告)号：

CN103681448A

公开(公告)日：

2014-03-26

发明(设计)人：

夏雁宾杨玲张飞

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581677076 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2012103375575 申请日:20120913
2014-03-26	公开	公开
2017-06-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101752700602 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2012103375575 申请公布日:20140326

共 50 条

[1]

形成浅沟槽隔离区的方法 [P].

周鸣 ;

平延磊 .

中国专利 :CN103579076B ,2014-02-12

[2]

形成浅沟槽隔离区的方法 [P].

张飞 ;

杨玲 ;

夏雁宾 .

中国专利 :CN103681449A ,2014-03-26

[3]

浅沟槽隔离区的制作方法 [P].

唐兆云 .

中国专利 :CN101969039A ,2011-02-09

[4]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

林竞尧 ;

肖春光 .

中国专利 :CN101197304A ,2008-06-11

[5]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

平延磊 .

中国专利 :CN102487032A ,2012-06-06

[6]

浅沟槽隔离区的形成方法 [P].

邵群 .

中国专利 :CN103187353A ,2013-07-03

[7]

形成浅沟槽隔离结构的方法 [P].

元琳 ;

尹晶磊 .

中国专利 :CN102054733A ,2011-05-11

[8]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

王飞飞 ;

张继亮 ;

李小康 ;

王裕晓 .

中国专利 :CN113223995A ,2021-08-06

[9]

一种半导体浅沟槽隔离方法 [P].

马擎天 ;

许宗能 ;

朱旋 ;

肖玉洁 .

中国专利 :CN101930940B ,2010-12-29

[10]

浅沟槽隔离区的制作方法 [P].

秦宏志 ;

赵星 ;

高剑鸣 ;

赵金柱 .

中国专利 :CN102024739A ,2011-04-20

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