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不同结构的深沟槽平坦化方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201310338016.9
申请日
:
2013-08-05
公开(公告)号
:
CN104347346B
公开(公告)日
:
2015-02-11
发明(设计)人
:
钱志刚
刘继全
唐锦来
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
:
H01L2102
IPC分类号
:
H01L21306
H01L213105
H01L21311
H01L21336
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
高月红
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2015-03-11
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101601520589 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2013103380169 申请日:20130805
2015-02-11
公开
公开
2017-06-06
授权
授权
共 50 条
[1]
同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法
[P].
刘继全
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘继全
;
钱志刚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
钱志刚
;
成鑫华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
成鑫华
.
中国专利
:CN103035486B
,2013-04-10
[2]
刻蚀和填充深沟槽的方法
[P].
程晓华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
程晓华
;
肖胜安
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
肖胜安
.
中国专利
:CN102280402A
,2011-12-14
[3]
一种改善超级结深沟槽外延层平坦化的方法
[P].
刘继全
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘继全
;
钱志刚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
钱志刚
;
唐锦来
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
唐锦来
.
中国专利
:CN103779228B
,2014-05-07
[4]
深沟槽隔离结构的制备方法及深沟槽隔离结构
[P].
周成
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
周成
.
中国专利
:CN118866808A
,2024-10-29
[5]
深沟槽隔离结构的制备方法及深沟槽隔离结构
[P].
周成
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
周成
.
中国专利
:CN118866808B
,2024-12-10
[6]
沟槽填充后平坦化的工艺方法
[P].
刘继全
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘继全
.
中国专利
:CN102315093B
,2012-01-11
[7]
深沟槽的刻蚀方法
[P].
郭海亮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
郭海亮
;
姚道州
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
姚道州
;
赵志
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
赵志
;
任婷婷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
任婷婷
;
汪健
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
汪健
;
王玉新
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王玉新
.
中国专利
:CN118248540A
,2024-06-25
[8]
深沟槽的硅外延填充方法
[P].
刘继全
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘继全
;
肖胜安
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
肖胜安
;
季伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
季伟
;
于源源
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
于源源
.
中国专利
:CN102956471A
,2013-03-06
[9]
减少深沟槽结构缺陷源的方法
[P].
郑书红
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
郑书红
;
高宏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
高宏
.
中国专利
:CN118748145A
,2024-10-08
[10]
深沟槽填充方法
[P].
王雷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王雷
;
李伟峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李伟峰
.
中国专利
:CN103579073B
,2014-02-12
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