半导体装置及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410337946.7

申请日：

2014-07-16

公开(公告)号：

CN105261645B

公开(公告)日：

2016-01-20

发明(设计)人：

吴彦良张仲甫洪裕祥沈文骏傅思逸吕曼绫刘家荣陈意维

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-21	授权	授权
2017-07-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101731775438 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014103379467 申请日:20140716
2016-01-20	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制作方法 [P].

岩本邦彦 ;

小川有人 ;

上牟田雄一 .

中国专利 :CN101320734A ,2008-12-10

[2]

半导体装置及其制作方法 [P].

大卫·J·鲍德温 ;

加里·尤金·道姆 ;

西蒙·约翰·莫洛伊 ;

阿比迪尔·拉赫曼 .

中国专利 :CN106952905B ,2017-07-14

[3]

半导体装置及其制作方法 [P].

金海光 ;

江法伸 ;

林杏莲 ;

吴启明 .

中国专利 :CN112687791B ,2025-05-13

[4]

半导体装置及其制作方法 [P].

童宇诚 ;

张钦福 .

中国专利 :CN115036316B ,2025-04-18

[5]

半导体装置及其制作方法 [P].

张庆弘 ;

丘世仰 .

中国专利 :CN110993569A ,2020-04-10

[6]

半导体装置及其制作方法 [P].

摩尔·沙哈吉·B ;

李承翰 ;

张世杰 ;

林诗雅 ;

蔡仲恩 ;

刘致为 .

中国专利 :CN114530484A ,2022-05-24

[7]

半导体装置及其制作方法 [P].

廖廷丰 .

中国专利 :CN117693201A ,2024-03-12

[8]

半导体装置及其制作方法 [P].

龚达渊 ;

柳瑞兴 ;

朱振梁 ;

姚智文 ;

雷明达 .

中国专利 :CN110534571B ,2019-12-03

[9]

半导体装置及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN105655399A ,2016-06-08

[10]

半导体装置及其制作方法 [P].

张嘉骅 ;

李健逢 ;

颜湘婕 .

中国专利 :CN115036366A ,2022-09-09

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