一种碳化硅半导体生产用粉碎装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021820227.8

申请日：

2020-08-27

公开(公告)号：

CN213315176U

公开(公告)日：

2021-06-01

发明(设计)人：

蔡祗首刘欣郭辉杨涛

申请人：

申请人地址：

516000 广东省惠州市仲恺高新区陈江街道陈江大道北36号高新科技创新孵化器5楼501号

IPC主分类号：

B02C402

IPC分类号：

B02C428 B02C2308 B07B128

代理机构：

广州市红荔专利代理有限公司 44214

代理人：

余志军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-01	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅半导体生产用粉碎装置 [P].

李晶 ;

卢红亮 ;

李勇刚 ;

蒋镄铠 .

中国专利 :CN210410894U ,2020-04-28

[2]

一种碳化硅半导体生产用粉碎装置 [P].

张志鹏 .

中国专利 :CN217341666U ,2022-09-02

[3]

一种碳化硅半导体回收粉碎装置 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN213644425U ,2021-07-09

[4]

碳化硅半导体基底和碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

中国专利 :CN110137241A ,2019-08-16

[5]

一种碳化硅半导体生产用单晶炉 [P].

张桂华 .

中国专利 :CN120649149A ,2025-09-16

[6]

一种碳化硅半导体生产用的单晶炉 [P].

廖齐文 ;

杨世勇 ;

万鑫 ;

郭鹏 ;

孙小城 .

中国专利 :CN118207636A ,2024-06-18

[7]

一种碳化硅生产用粉碎装置 [P].

张成荣 ;

刘江华 ;

刘冠华 ;

王义庆 .

中国专利 :CN211612955U ,2020-10-02

[8]

碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体装置 [P].

中西洋介 ;

冈部博明 ;

吉田基 ;

须贺原和之 ;

富永贵亮 .

中国专利 :CN106165066A ,2016-11-23

[9]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

巻渕阳一 ;

堤岳志 ;

荒岡干 ;

岡本光央 ;

福田宪司 .

中国专利 :CN105531802A ,2016-04-27

[10]

一种碳化硅半导体 [P].

黄仲濬 ;

蒋文甄 .

中国专利 :CN105514153A ,2016-04-20

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