碳化硅半导体生产用粉碎装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201921998274.9

申请日：

2019-11-18

公开(公告)号：

CN210410894U

公开(公告)日：

2020-04-28

发明(设计)人：

李晶卢红亮李勇刚蒋镄铠

申请人：

申请人地址：

629200 四川省遂宁市射洪县经济开发区河东大道88号

IPC主分类号：

B02C402

IPC分类号：

B02C410 B02C428 B02C2302

代理机构：

成都玖和知识产权代理事务所(普通合伙) 51238

代理人：

胡琳梅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种碳化硅半导体生产用粉碎装置 [P].

蔡祗首 ;

刘欣 ;

郭辉 ;

杨涛 .

中国专利 :CN213315176U ,2021-06-01

[2]

一种碳化硅半导体生产用粉碎装置 [P].

张志鹏 .

中国专利 :CN217341666U ,2022-09-02

[3]

一种碳化硅半导体回收粉碎装置 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN213644425U ,2021-07-09

[4]

碳化硅半导体基底和碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

中国专利 :CN110137241A ,2019-08-16

[5]

碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体装置 [P].

中西洋介 ;

冈部博明 ;

吉田基 ;

须贺原和之 ;

富永贵亮 .

中国专利 :CN106165066A ,2016-11-23

[6]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

巻渕阳一 ;

堤岳志 ;

荒岡干 ;

岡本光央 ;

福田宪司 .

中国专利 :CN105531802A ,2016-04-27

[7]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

[8]

用于碳化硅半导体的研磨进料装置 [P].

李勇刚 ;

胥小丰 ;

卢红亮 .

中国专利 :CN210022254U ,2020-02-07

[9]

碳化硅半导体构件 [P].

R.鲁普 ;

L.维尔哈恩-基利安 ;

B.齐佩柳斯 .

中国专利 :CN110299399A ,2019-10-01

[10]

碳化硅半导体构件 [P].

R.鲁普 ;

L.维尔哈恩-基利安 ;

B.齐佩柳斯 .

德国专利 :CN110299399B ,2025-06-03

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