集成电路器件和制造其的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811307372.3

申请日：

2018-11-05

公开(公告)号：

CN109755299A

公开(公告)日：

2019-05-14

发明(设计)人：

李炳训罗勋奏徐圣仁宋珉宇李灿珩李厚容玄尚镇

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

张波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20181105
2019-05-14	公开	公开

共 50 条

[1]

集成电路器件和制造其的方法 [P].

尹彰燮 ;

尹钟植 .

中国专利 :CN114792719A ,2022-07-26

[2]

集成电路器件及制造其的方法 [P].

高厦缆 ;

金荣夏 ;

姜铉在 ;

金珍满 ;

李钟俱 .

韩国专利 :CN119486254A ,2025-02-18

[3]

集成电路器件和制造其的方法 [P].

安学润 ;

李相炫 ;

康诚右 ;

申洪湜 ;

吴省翰 ;

吴怜默 ;

李仁根 .

中国专利 :CN110310986A ,2019-10-08

[4]

集成电路器件和制造其的方法 [P].

M.坎托罗 ;

权兑勇 ;

朴栽永 ;

黄东勋 ;

李汉基 ;

刘素罗 .

中国专利 :CN107393922A ,2017-11-24

[5]

集成电路器件和制造其的方法 [P].

崔恩荣 ;

李洙衡 ;

李要韩 ;

赵容锡 .

中国专利 :CN112447758A ,2021-03-05

[6]

制造集成电路器件的方法 [P].

金荣祐 ;

朴容汉 ;

朴志晧 ;

成金重 ;

韩昇煜 .

韩国专利 :CN117641890A ,2024-03-01

[7]

半导体集成电路器件和制造半导体集成电路器件的方法 [P].

谷口泰弘 ;

宿利章二 ;

黑田谦一 ;

池田修二 ;

桥本孝司 .

中国专利 :CN1516259A ,2004-07-28

[8]

半导体集成电路器件和制造半导体集成电路器件的方法 [P].

谷口泰弘 ;

宿利章二 ;

黑田谦一 ;

池田修二 ;

桥本孝司 .

中国专利 :CN1238557A ,1999-12-15

[9]

集成电路器件及制造其的方法 [P].

宋秀娟 ;

姜玧求 ;

朴俓旭 ;

潘有慜 ;

徐昌佑 ;

沈玄哲 .

韩国专利 :CN118613051A ,2024-09-06

[10]

集成电路器件及制造其的方法 [P].

朴硕汉 .

中国专利 :CN109698164A ,2019-04-30

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