半导体集成电路及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200710186826.1
申请日
2007-11-22
公开(公告)号
CN101206919A
公开(公告)日
2008-06-25
发明(设计)人
山冈雅 长田健一 小松成亘
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
G11C11417
IPC分类号
H03K190948 H01L2702
代理机构
北京市金杜律师事务所
代理人
季向冈
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体集成电路及其制造方法 [P]. 
小松成亘 ;
长田健一 ;
山冈雅 ;
石桥孝一郎 .
中国专利 :CN101207120A ,2008-06-25
[2]
半导体集成电路及其制造方法 [P]. 
山内宽行 .
中国专利 :CN1467749A ,2004-01-14
[3]
半导体集成电路及其制造方法 [P]. 
姉崎彻 .
中国专利 :CN1469478A ,2004-01-21
[4]
半导体集成电路及其制造方法 [P]. 
山崎崇 ;
辻川真平 .
中国专利 :CN102810538A ,2012-12-05
[5]
半导体集成电路及其制造工艺 [P]. 
畑田明良 ;
片上朗 ;
田村直义 ;
岛宗洋介 ;
岛昌司 ;
大田裕之 .
中国专利 :CN1805144B ,2006-07-19
[6]
半导体集成电路及其制造方法 [P]. 
铃木幸夫 ;
小西春男 ;
小岛芳和 .
中国专利 :CN1116773A ,1996-02-14
[7]
半导体集成电路及其制造方法 [P]. 
深水新吾 ;
锅岛有 ;
胜山隆 .
中国专利 :CN101174626A ,2008-05-07
[8]
半导体集成电路 [P]. 
宫崎晋也 ;
加藤圭 ;
山内宏道 .
中国专利 :CN100423131C ,2005-05-11
[9]
半导体集成电路及其制造方法 [P]. 
深水新吾 ;
锅岛有 ;
西野英树 .
中国专利 :CN101192609A ,2008-06-04
[10]
半导体集成电路的制造方法及半导体集成电路 [P]. 
和气美和 ;
吉田宜史 .
中国专利 :CN1433065A ,2003-07-30